| 主权项 |
1.一种于改善积体电路中微影图案之多层结构,该多层结构至少包含:一复晶矽层;一抗反射层,系由氮氧化矽(oxynitride)构成,位于该复晶矽层上;及一光阻层位于该抗反射层上,用以形成该积体电路图案。2.如申请范围第1项之结构,其中更包含一透光层位于该复晶矽层与该抗反射层之间。3.如申请范围第2项之结构,其中上述之透光层为一LPTEOS层。4.如申请范围第1项之结构,其中上述之抗反射层为氮氧化矽(oxynitride),其厚度为230至850埃,折射系数范围为1.85至2.35,吸收系数范围为0.35至0.85,上述光学特性系在248 nanometers波长测得。5.一种于改善积体电路中微影图案之方法,该方法至少包含:提供一复晶矽层;形成一由氮氧化矽(oxynitride)构成之抗反射层于该透光层上;形成一光阻层位于该抗反射层上;及曝光与显影部份之该光阻层于波长小于440nanometers之电磁辐射下。6.如申请范围第5项之方法,其中更包含在形成上述之抗反射层之前先形成一透光层于该复晶矽层上之步骤。7.如申请范围第6项之方法,其中上述之透光层为一LPTEOS层。8.如申请范围第5项之方法,其中上述抗反射层为一氮氧化矽(oxynitride),其厚度约为230至800埃,折射系数之范围为1.85至2.35,吸收系数范围为0.35至0.85,上述光学特性系在248 nanometers波长测得。9.如申请范围第8项之方法,其中形成上述氮氧化矽oxynitride)之方法为电浆增强式化学气相沈积法(plasma-enhanced CVD),以SiH4与N2O为反应气体。10.如申请范围第9项之方法,其中上述之SiH4的流量范围为35至75 sccm。11.如申请范围第9项之方法,其中上述之N2O的流量范围为75至115 sccm。图式简单说明:第一图为本发明之第一实施例之截面图;及第二图为本发明之第二实施例之截面图。 |
