| 主权项 |
1.一种接触窗之蚀刻方法,适用于一半导体晶圆其上形成有位于不同高度层面之第一自行对准金属矽化物层和第二自行对准金属矽化物层,蚀刻出不同深度之接触窗以露出上述第一和第二自行对准金属矽化物层,又上述第一自行对准金属矽化物层所在之层面高于第二自行对准金属矽化物层所在之层面,上述一种接触窗之蚀刻方法其步骤为:形成一特定厚度之牺牲层于上述晶圆之上;去除上述牺牲层,仅部份保留在上述第一自行对准金属矽化物层之上;形成一内层介电质层(interlayer dielectric)于上述晶圆之上;平坦化上述内层介电质层;定义接触窗图形;以及形成接触窗,以分别露出上述第一及第二自行对准金属矽化物层;其中,上述牺牲层之厚度取决于上述牺牲层、介电质之蚀刻率和上述第一、第二金属矽化物层面间高度差之对应关系。2.如申请专利范围第1项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层之厚度Y系根据下列关系而决定:Y=XRSAC/(RILD-RSAC)其中,X为上述第一以及第二自行对准金属矽化物层间之高度差,RSAC以及RILD分别为上述牺牲层以及上述内层介电质之蚀刻率。3.如申请专利范围第1项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层为矽、氮化合物(SiNx)层。4.如申请专利范围第1项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层为TiN层。5.如申请专利范围第1项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述内层介电质层系为四乙氧基矽甲烷(TEOS)层。6.如申请专利范围第1项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层系使用化学气相沈积法形成。7.如申请专利范围第1项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述接触窗系使用C4F8.CO、以及Ar之混合气体蚀刻而成。8.一种接触窗之蚀刻方法,其适用于在一已形成MOS元件之晶圆上蚀刻出不同深度之接触窗,以露出形成于源/汲极上之自行对准金属矽化物层、以及形成于场氧化物上方复晶矽导线上之自行对准金属矽化物层,其步骤为:形成一特定厚度之牺牲层于上述晶圆之上;去除上述牺牲层,仅在上述复晶矽导线上之自行对准金属矽化物层上保留有上述牺牲层;形成一内层介电质层(interlayer dielectric)于上述晶圆之上;平坦化上述内层介电质层;定义接触窗图形;以及形成接触窗,以分别露出上述源/汲极上之自行对准金属矽化物层以及上述复晶矽导线上之自行对准金属矽化物层;其中,上述牺牲层之厚度取决于上述牺牲层、介电质之蚀刻率和上述第一、第二金属矽化物层面间高度差之对应关系。9.如申请专利范围第8项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层之厚度Y系根据下列关系而决定:Y=XRSAC/(RILD-RSAC)其中,X为上述第一以及第二自行对准金属矽化物层间之高度差,RSAC以及RILD分别为上述牺牲层以及上述内层介电质之蚀刻率。10.如申请专利范围第8项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层为矽、氮化合物(SiNx)层。11.如申请专利范围第8项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述自行对准金属矽化物层为TiSi2层。12.如申请专利范围第11项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层为TiN层。13.如申请专利范围第8项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述内层介电质层系为四乙氧基矽甲烷(TEOS)层。14.如申请专利范围第8项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述接触窗系使用C4F8.CO、以及Ar之混合气体蚀刻而成。15.如申请专利范围第8项所述之一种接触窗之蚀刻方法,其中上述牺牲层系使用化学气相沈积法形成。图示简单说明:第一图a到第一图c为流程剖面图,用以概要说明习知的接触窗之蚀刻制程;以及第二图a到第二图d为流程剖面图,用以说明应用本发明接触窗定义光罩之接触窗蚀刻制程之一实施例。 |
