发明名称 |
利用平面化技术制造半导体器件的方法 |
摘要 |
一种制造半导体器件的方法,包括:在晶体管元件上形成氮化膜、BPSG膜和含硼或磷的SOG氧化硅膜;在约5个大气压以上的压力和400℃-700℃的温度下的蒸汽气氛中热处理所得晶片;并在惰性气体气氛中热处理该晶片。第一热处理引起SOG膜的水解作用,形成凝胶态SOG膜,而第二热处理通过去掉SOG膜中所含水分固化SOG膜。SOG膜中的磷或硼减弱了SOG膜中-Si-O-Si-链中的结合键,帮助-Si-O-Si-链的分离,及SOG膜的平面化。 |
申请公布号 |
CN1122301C |
申请公布日期 |
2003.09.24 |
申请号 |
CN98101226.4 |
申请日期 |
1998.03.30 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
石川拓 |
分类号 |
H01L21/316;H01L21/318;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/316 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
穆德骏;黄敏 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在半导体衬底上依次形成半导体元件、第一绝缘膜、含磷和硼的第二绝缘膜、及至少含磷和硼之一的旋涂玻璃(SOG)第三绝缘膜,从而获得第一晶片;在5个大气压以上的压力和400℃-700℃的温度下的水蒸汽气氛中热处理该第一晶片;在惰性气体气氛中热处理该第一晶片;在第三绝缘膜上形成互连层。 |
地址 |
日本东京 |