| 主权项 |
1.一种熔丝结构,包括:一基底,该基底上具有一预定熔断区域;一第一导体层,形成于部分该基底上;一第一介电层,形成于该第一导体层与该基底上;一第二导体层,形成于该第一介电层上,并且于该第二导体层预定被导体插塞穿过之区域,形成一开口;一第二介电层,形成于该第二导体层及部分该第一介电层上;一第三导体层,形成于位于包括该预定熔断区域之部分该第二介电层上;以及一导体插塞,穿过该第一介电层以及该第二介电层,用以电性连接该第一导体层与该第三导体层。2.如申请专利范围第1项所述之熔丝结构,其中该基底系由矽氧化物材料所构成。3.如申请专利范围第1项所述之熔丝结构,其中该第一导体层系由钨金属或复晶矽材料所构成。4.如申请专利范围第1项所述之熔丝结构,其中该第二导体层系由钨金属材料所构成。5.如申请专利范围第1项所述之熔丝结构,其中该第三导体层系由铝、铝矽铜合金或复晶矽材料所构成。6.如申请专利范围第1项所述之熔丝结构,其中该导体插塞系钨或复晶矽插塞。7.如申请专利范围第1项所述之熔丝结构,其中该第一介电层及该第二介电层系二氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之熔丝结构,其中在该第二介电层和该第三导体层上,更包括一具有开口的钝化层,而该开口系用以露出包括位于该预定熔断区域的该第三导体层与至少部分该第二介电层。9.如申请专利范围第8项所述之熔丝结构,其中该钝化层系PE-TEOS氧化矽或氮化矽层。10.一种熔丝窗,该熔丝窗内具有复数个熔丝结构,而各该熔丝结构包括:一基底,该基底上具有一预定熔断区域;一第一导体层,形成于部分该基底上;一第一介电层,形成于该第一导体层与该基底上;一第二导体层,形成于该第一介电层上,并且于该第二导体层预定被导体插塞穿过之区域,形成一开口;一第二介电层,形成于该第二导体层及部分该第一介电层上;一第三导体层,形成于位于包括该预定熔断区域之部分该第三介电层上;以及一导体插塞,穿过该第一介电层以及该第二介电层,用以电性连接该第一导体层与该第三导体层;其中该熔丝窗内的该等熔丝结构彼此有各自的该预定熔断区域,该等熔丝结构彼此之间不作电性接触,并且每个该熔丝结构中位于该预定熔断区域的该第三导体层的两侧下方,系对应相邻该等熔丝结构中的该第二导体层与该等第一导体层;该第二导体层,与该等第一导体层及该等第三导体层不作电性接触;该等复数个熔丝结构中,该第二导体层系一整片,具相同电位,位于第一介电层之上。11.如申请专利范围第10项所述之熔丝窗,其中该第一导体层系由钨金属或复晶矽材料所构成。12.如申请专利范围第10项所述之熔丝窗,其中该第二导体层系由钨金属材料所构成。13.如申请专利范围第10项所述之熔丝窗,其中该第三导体层系由铝、铝矽铜合金或复晶矽材料所构成。14.如申请专利范围第10项所述之熔丝窗,其中该导体插塞系钨或复晶矽插塞。15.如申请专利范围第10项所述之熔丝窗,其中该第一介电层及该第二介电层系二氧化矽层。16.一种熔丝结构的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一第一导体层于部分该基底上;形成第一介电层于该第一导体层及该基底上;形成一第二导体层于该第一介电层上;形成一第一开口于该第二导体层中,以露出该第一介电层;形成一第二介电层于该第二导体层上,并填满该第一开口;形成一第二开口于该第一和第二介电层中且穿过该第一开口,以露出该第一导体层;形成一插塞于该第二开口中与该第一导体层构成电性接触;以及,形成一第三导体层于该插塞及部分该第二介电层上,与该插塞做电性接触。图式简单说明:第1图系习知的熔丝结构剖面图。第2图系第1图的上视图,即熔丝窗之示意图。第3图系本发明实施例的熔丝结构剖面图。第4图系第3图的上视图,即熔丝窗之示意图。第5A图、第6A图、第7A图、第8A图、第9A图、第10A图、第11A图、第12A图、第13A图系本发明熔丝结构的制程剖面图。第5B图、第6B图、第7B图、第8B图、第9B图、第10B图、第11B图、第12B图、第13B图系本发明熔丝结构的制程上视图。 |
