| 主权项 |
1.一种配制高纯度大块熔融矽石之方法,其包含:供应矽烷气体,气体燃料,以及氧气至燃烧器;藉由通过矽烷气体进入气体燃料与氧气燃烧反应作用所产生之火焰内而形成矽石颗粒,同时保持气体燃料流量与矽烷气体流量之比値并不小于12以及保持气体燃料流量与氧气流量之比値并不小于2;以及立即沉积矽石颗粒于热引取杆上以形成玻璃块。2.依据申请专利范围第1项之方法,其中气体燃料流量与矽烷气体流量之比値并不大于30。3.依据申请专利范围第1项之方法,其中气体燃料流量与矽烷气体流量之比値在12.5至30范围内。4.依据申请专利范围第3项之方法,其中气体燃料流量与矽烷气体流量之比値在2.0至3.0范围内。5.依据申请专利范围第1项之方法,其中供应矽烷气体包含提供惰性气体遮蔽于矽烷气体四周。6.依据申请专利范围第6项之方法,其中惰性气体为氮气。7.依据申请专利范围第6项之方法,其中气体燃料为甲烷。8.依据申请专利范围第6项之方法,其中气体燃料为氢气。9.依据申请专利范围第1项之方法,其中热引取杆藉由气体燃料与氧气燃烧反应过程中所产生之热量进行加热。10.依据申请专利范围第1项之方法,其中热引取杆加热至直接形成玻璃块之温度。11.依据申请专利范围第1项之方法,其中气体燃料在供应至燃烧器之前利用一部份氧气预先加以混合。12.依据申请专利范围第1项之方法,其中供应矽烷气体,气体燃料,以及氧气至燃烧器包含提供氧气包封于气体燃料四周。13.依据申请专利范围第1项之方法,其中玻璃块之氯浓度小于10 ppm。14.一种配制高纯度大块熔融矽石之方法,该方法包含:供应矽烷气体,气体燃料,以及氧气至燃烧器;藉由通过矽烷气体进入气体燃料与氧气燃烧反应作用所产生之火焰内而形成矽石颗粒,同时保持气体燃料流量与矽烷气体流量之比値在12.5至30范围内以及保持气体燃料流量与氧气流量之比値在2.0至3.0范围内;以及立即沉积矽石颗粒于热引取杆上以形成玻璃块。15.依据申请专利范围第14项之方法,其中气体燃料为甲烷。16.依据申请专利范围第14项之方法,其中气体燃料为氢气。17.依据申请专利范围第14项之方法,其中玻璃块之氯浓度小于10 ppm。图式简单说明:第一图(图1)显示出使用OMCTS制造大块熔融矽石之先前所使用之方法。第二图(图2)显示出使用矽烷制造大块熔融矽石之处理过程。第三图(图3)为先前技术燃烧器之分解图。第四图及第五图(图4及图5)为燃烧器面之平面图。 |
