| 主权项 |
1.一种半导体装置,其为具备将元件隔离的沟渠、和具有第一厚度之第一闸极氧化膜的第一电晶体、和具有大于第一厚度之第二厚度,且含有于该沟渠形成前所形成之氧化膜之第二闸极氧化膜的第二电晶体。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半导体装置为具备形成有记忆单元电晶体的记忆单元电晶体区域、和形成有进行控制该记忆单元电晶体动作之周边电路的周边电路区域,该第一电晶体为该记忆单元电晶体,该第二电晶体为形成于该周边电路区域中的电晶体。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半导体装置为具备形成有记忆单元电晶体之记忆单元电晶体区域、和形成有进行控制该记忆单元电晶体动作之周边电路的周边电路区域,该第一电晶体为形成于该周边电路区域内且外加相对低电压的电晶体,该第二电晶体为形成于该周边电路区域内且外加相对高电压的电晶体。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该半导体装置为包含非挥发性半导体记忆装置。5.一种半导体装置之制造方法,其为具备于半导体基板之主表面上形成第一氧化膜的步骤、和以该第一氧化膜做为罩幕并于该半导体基板之元件隔离区域中形成沟渠的步骤、和于该半导体基板之第二区域上一边残留该第一氧化膜,一边除去第一区域上之该第一氧化膜的步骤、和于该第一及第二区域上形成第二氧化膜的步骤、于该第一区域上透过该第二氧化膜形成第一电晶体之闸极的步骤、和于该第二区域上透过该第一及第二氧化膜形成第二电晶体之闸极的步骤。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其为以热氧化法形成该第一及第二氧化膜。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中该第二氧化膜为令O2气体与H2气体于该半导体基板附近燃烧,令该半导体基板附近一边存在活性的氧化种一边形成。8.一种半导体装置之制造方法,其为具备于半导体基板之主表面上形成第一氧化膜的步骤、和以该第一氧化膜做为罩幕并于该半导体基板之元件隔离区域上形成沟渠的步骤、和除去该半导体基板之第二区域上之该第一氧化膜且一方面于第一区域上残留该第一氧化膜的步骤、和于该第一区域上残留之该第一氧化膜上形成耐氧化性膜的步骤、和该第一区域以该耐氧化性膜覆盖之状态下,于该第二区域中形成第二氧化膜的步骤、和除去该第一氧化膜和该耐氧化性膜的步骤、和于该第一及第二区域上形成第三氧化膜的步骤、和于该第一区域上透过该第三氧化膜形成第一电晶体之闸极的步骤、和于该第二区域上透过该第二及第三氧化膜形成第二电晶体之闸极的步骤。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中该耐氧化性膜为包含氮化矽膜和氧亚硝酸盐膜之至少一者。10.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中该耐氧化性膜为包含矽膜,该第二氧化膜形成时,该耐氧化性膜为变化成氧化矽膜,除去该耐氧化性膜之步骤为包含除去变化成氧化矽膜之该耐氧化性膜的步骤。11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中该矽膜厚度为该第二氧化膜厚度的1/2以下。12.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中该第二与第三氧化膜之至少一者为令O2气体与H2气体于该半导体基板附近燃烧,令该半导体基板附近一边存在活性的氧化种一边形成。13.一种半导体装置之制造方法,其为具备于半导体基板之主表面上之元件隔离区域形成沟渠隔离区域的步骤、和令O2气体与H2气体于该半导体基板附近燃烧,令该半导体基板附近一边存在活性的氧化种一边于半导体基板之主表面上形成第一氧化膜的步骤、和除去该半导体基板之第一区域上之该第一氧化膜,另一方面于第二区域上残留该第一氧化膜的步骤、和令O2气体与H2气体于该半导体基板附近燃烧,令该半导体基板附近一边存在活性的氧化种一边于该第一及第二区域上形成第二氧化膜的步骤、和于该第一区域上透过该第二氧化膜形成第一电晶体之闸极的步骤、和于该第二区域上透过该第一及第二氧化膜形成第二电晶体之闸极的步骤。14.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中该半导体装置为非挥发性半导体记忆装置,具备形成有记忆单元电晶体之记忆单元电晶体区域、和形成有进行控制该记忆单元电晶体动作之周边电路的周边电路区域,该第一区域为该记忆单元电晶体区域,该第二区域为该周边电路区域,该第一电晶体为该记忆单元电晶体,该第二电晶体为形成于该周边电路区域中的电晶体。15.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中该半导体装置为非挥发性半导体记忆装置,具备形成有记忆单元电晶体之记忆单元电晶体区域、和形成有进行控制该记忆单元电晶体动作之周边电路的周边电路区域,该第一及第二区域为位于该周边电路区域内,该第一电晶体为被外加相对低电压的电晶体,该第二电晶体为被外加相对高电压的电晶体。图式简单说明:图1A-1C为本发明实施形态1中之半导体装置的截面图。图2A、2B、2C-图11A、11B、11C为示出图1所示半导体装置之制造步骤的第1-10步骤的截面图。图12A-12C为本发明实施形态2中之半导体装置的截面图。图13A、13B、13C-图22A、22B、22C为示出图12所示半导体装置之制造步骤之特征性的第1-10步骤的截面图。图23A、23B、23C-27A、27B、27C为示出本发明实施形态3中之半导体装置之制造步骤之特征性的第1-第5步骤的截面图。图28A-28C为本发明实施形态4中之半导体装置的截面图。图29A、29B、29C-32A、32B、32C为示出图28所示之半导体装置之制造步骤之特征性的第1-第4步骤的截面图。 |
