| 主权项 |
1.一种发光装置,其包含:一反向AlInGaN异质接面装置,其包含一n型层、一p型层、又一放射层,其介入该n型及p型层,用来放射光线;及两个电极,该两个电极之一为连接到该n型层的一n电极,而该两个电极的另一个为连接到该p型层的一p电极,其中每个电极对于由该放射层所放射的光线具有一正常入射反射率超过80%。2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该p电极具有一小于10%的吸收率。3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该n电极具有一小于20%的吸收率。4.如申请专利范围第1项之发光装置,其中每个电极包含银。5.如申请专利范围第1项之发光装置,其中每个电极包含铝。6.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该p电极包含银。7.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该p电极包含铝。8.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该n电极包含银。9.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该n电极包含铝。10.如申请专利范围第1项之发光装置,进一步包含一基板,其中该n型与p型层夹在该基板与该n及p电极之间,而其中该基板系黏着在该异质接面装置上,所以光线可通过该基板而逸出。11.如申请专利范围第10项之发光装置,其中该基板包含蓝宝石。12.如申请专利范围第10项之发光装置,其中该基板包含碳化矽。13.如申请专利范围第10项之发光装置,其中该基板包含氮化镓。14.一种发光装置,其包含:一反向III族氮化物材料异质接面装置,其包含一n型层、一p型层、及一放射层,其介入该n型及p型层,用来放射光线;及两个电极,该两个电极之一为连接到该n型层的一n电极,而该两个电极的另一个为连接到该p型层的一p电极,其中每个电极对于由该放射层所放射的光线具有一正常入射反射率超过80%。15.如申请专利范围第14项之发光装置,其中该p电极具有一小于10%的吸收率。16.如申请专利范围第14项之发光装置,其中该n电极具有一小于20%的吸收率。17.如申请专利范围第14项之发光装置,其中每个电极包含银。18.如申请专利范围第14项之发光装置,其中每个电极包含铝。19.如申请专利范围第14项之发光装置,其中该p电极包含银。20.如申请专利范围第14项之发光装置,其中该p电极包含铝。21.如申请专利范围第14项之发光装置,其中该n电极包含银。22.如申请专利范围第14项之发光装置,其中该n电极包含铝。23.如申请专利范围第14项之发光装置,进一步包含一基板,其中该n型与p型层夹在该基板与该n及p电极之间,而其中该基板系黏着在该异质接面装置上,所以光线可通过该基板而逸出。24.如申请专利范围第23项之发光装置,其中该基板包含蓝宝石。25.如申请专利范围第23项之发光装置,其中该基板包含碳化矽。26.如申请专利范围第23项之发光装置,其中该基板包含氮化镓。27.一种发光装置,其包含:一反向AlInGaN异质接面装置,其包含一n型层、一p型层、及一放射层,其介入该n型及p型层,用来放射光线;及一n电极连接到该n型层,及复数个p电极连接到该p型层,其中每个电极对于由该放射层所放射的光线具有一正常入射反射率超过80%。28.如申请专利范围第27项之发光装置,其中该复数个p电极的每一个具有一小于10%的吸收率。29.如申请专利范围第27项之发光装置,其中该n电极具有一小于20%的吸收率。30.如申请专利范围第27项之发光装置,其中每个电极包含银。31.如申请专利范围第27项之发光装置,其中每个电极包含铝。32.如申请专利范围第27项之发光装置,其中该p电极包含银。33.如申请专利范围第27项之发光装置,其中该p电极包含铝。34.如申请专利范围第27项之发光装置,其中该n电极包含银。35.如申请专利范围第27项之发光装置,其中该n电极包含铝。36.如申请专利范围第27项之发光装置,进一步包含一基板,其中该n型与p型层夹在该基板与该n及p电极之间,而其中该基板系黏着在该异质接面装置上,所以光线可通过该基板而逸出。37.如申请专利范围第36项之发光装置,其中该基板包含蓝宝石。38.如申请专利范围第36项之发光装置,其中该基板包含碳化矽。39.如申请专利范围第36项之发光装置,其中该基板包含氮化镓。40.一种发光装置,其包含:一反向III族氮化物材料异质接面装置,其包含一n型层、一p型层、及一放射层,其介入该n型及p型层,用来放射光线;及一n电极连接到该n型层,及复数个p电极连接到该p型层,其中每个电极对于由该放射层所放射的光线具有一正常入射反射率超过80%。41.如申请专利范围第40项之发光装置,其中该复数个p电极的每一个具有一小于10%的吸收率。42.如申请专利范围第40项之发光装置,其中该n电极具有一小于20%的吸收率。43.如申请专利范围第40项之发光装置,其中每个电极包含银。44.如申请专利范围第40项之发光装置,其中每个电极包含铝。45.如申请专利范围第40项之发光装置,其中该p电极包含银。46.如申请专利范围第40项之发光装置,其中该p电极包含铝。47.如申请专利范围第40项之发光装置,其中该n电极包含银。48.如申请专利范围第40项之发光装置,其中该n电极包含铝。49.如申请专利范围第40项之发光装置,进一步包含一基板,其中该n型与p型层夹在该基板与该n及p电极之间,而其中该基板系黏着在该异质接面装置上,所以光线可通过该基板而逸出。50.如申请专利范围第49项之发光装置,其中该基板包含蓝宝石。51.如申请专利范围第49项之发光装置,其中该基板包含碳化矽。52.如申请专利范围第49项之发光装置,其中该基板包含氮化镓。图式简单说明:图1所可为先前技艺中具有一蓝宝石基板的III族氮化物发光装置。图2所示为先前技艺中另一个具有SiC基板的III族氮化物发光装置。图3所示为最大前向电流,其为该接面到周围热阻抗之函数。图4a所示为LED撷取效率,其为p电极吸收的函数。图4b所示为LED撷取效率,其为n电极吸收的函数,其中一n电极系用于结合于一银p电极。图5所示为在一先前技艺发光装置中所补捉的光线。图6a-b所示分别为本发明一具体实施例的平面图及横截面图。图7所示为本发明一具体实施例。图8所示为本发明一具体实施例。图9所示为本发明一具体实施例。图10a-b所示分别为本发明一具体实施例的平面图及横截面图。图11a-b所示图10a-b所示之具体实施例的横截面图。图12a-b所示分别为本发明一具体实施例的平面图。图13a-c所示为本发明的其它具体实施例。图14所示为GaN/SiC反向LED的撷取效率,其为该SiC吸收系数的函数。图15所示为具有该超基板的一反向锥体的具体实施例。图16所示为该次黏着的其它具体实施例。图17a-b所示为根据本发明之多重串联内连线的发光结构。图17a所示为该结构的一平面图。图17b所示为该相对应的架构图。图18所示为连接到一次黏着的多重串联内连线的发光结构。图19所示为制造该III族氮化物LED的流程图。图20所示为附着该III族氮化物LED到一次黏着的流程图。 |
