发明名称 | 利用垂直腔面发射半导体激光器制作相控阵激光装置 | ||
摘要 | 本发明涉及一种利用垂直腔面发射半导体激光器制作的相控阵激光装置,包括:计算机、总电源、种子激光器、移相器和由n个面发射半导体激光器组成的激光阵列;移相器安置在种子激光器光路前方,每个移相器前方对应安置激光阵列中的一个垂直腔面发射半导体激光器;其中总电源分别与每个垂直腔面发射半导体激光器电连接,总电源分别与计算机、种子激光器、移相器电连接。该阵列发射的激光束的方向由移相器控制,通过控制阵列中各个激光器单元的相位,使光束相干叠加,得到所需的光束指向,和在一定空域中按预定方案进行扫描。移相器由计算机控制。在扫描过程中激光器阵列保持固定,即激光器本身不需要作机械运动。 | ||
申请公布号 | CN1442932A | 申请公布日期 | 2003.09.17 |
申请号 | CN02104119.9 | 申请日期 | 2002.03.06 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 许祖彦;崔大复;姚爱云;林学春;李瑞宁 |
分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
主权项 | 1.一种相控阵半导体激光装置,包括:激光器、控制计算机和总电源;其特征是:还包括种子激光器、移相器和由n个垂直腔面发射半导体激光器组成的激光阵列;移相器安置在种子激光器光路前方,每个移相器前方对应安置激光阵列中的一个垂直腔面发射半导体激光器;其中总电源分别与每个垂直腔面发射半导体激光器电连接,总电源分别与计算机、种子激光器、移相器电连接。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区南三街8号 |