发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体元件及其制造方法,首先在基底中定义区多个主动区。接着,在基底上形成一第一字元线与一第二字元线,第一字元线与第二字元线与主动区相互交错,且分别具有多数个相互对应的宽部与多数个相互对应的窄部,其中该些相互对应的窄部之间为一宽间隙,该些相互对应的宽部之间为一窄间隙。接着于介于窄间隙之主动区的基底中形成多数个源极/汲极区。再于基底上形成一介电层并于介于窄间隙之介电层中形成多数个位元线接触窗口。之后,在这些位元线接触窗开口中填入导体材料,以形成多数个位元线接触窗。 | ||
申请公布号 | TW200830468 | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
申请号 | TW096100095 | 申请日期 | 2007.01.02 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 许平;陈逸男 |
分类号 | H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |