发明名称 洁净与干燥半导体晶圆的方法与装置
摘要 本发明提供一种洁净与干燥半导体晶圆的装置与方法。在包括异丙醇与去离子水的洁净溶剂注入于一处理槽之前,异丙醇与去离子水先依所需比率预先混合。因此,因为去离子水而残留的化合物可有效去除,且因为异丙醇而产生的水印可有效避免。因此,可增加洁净与干燥效果,且可重复使用洁净溶剂。
申请公布号 CN1441466A 申请公布日期 2003.09.10
申请号 CN03104943.5 申请日期 2003.02.27
申请人 A技术株式会社 发明人 朴真求;李仲渊;尹能九;李昌根;李相虎
分类号 H01L21/302;H01L21/30 主分类号 H01L21/302
代理机构 北京集佳专利商标事务所 代理人 王学强
主权项 1、一种洁净与干燥半导体晶圆的装置,其特征在于:该装置包括:一处理槽,接收一外源送来的一洁净溶剂,且该半导体晶圆是在该处理槽内洁净与干燥;一洁净溶剂混合单元,要注入至该处理槽的洁净溶剂系依既定比率混合,其包括:一异丙醇槽,其接收一外源送来的异丙醇;一混合醇槽,其接收一外源送来的去离子水,其至连接至该异丙醇槽以接收包含于该异丙醇槽内的异丙醇并混合异丙醇与去离子水;以及水平面感测装置,其感测注入至该异丙醇槽内的异丙醇之量与注入至该异丙醇槽内的异丙醇之量;一洁净溶剂供应单元,其连接该混合槽至该处理槽并供应混合于该混合槽内的该洁净溶剂至该处理槽内;以及一回流线,用于该半导体晶圆的洁净内的该洁净溶剂系透过该回流线而回流至该混合槽。
地址 韩国京畿道