| 主权项 |
1.一种使SOI基体退火于还原空气中的退火方法,包含步骤:藉由一固持部分来固持该SOI基体,并且使该SOI基体退火,其中,该固持部分为一具有矽膜于其上之组件或者一形成单晶矽或多晶矽之组件。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,退火被实施于低于单晶矽之熔点的温度。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,退火被实施于不低于775℃之温度。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,退火被实施于不低于966℃之温度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中,退火被实施于不低于993℃之温度。6.一种半导体装置制造方法,包含步骤:使用如申请专利范围第1项之退火方法来使SOI基体退火;以及在SOI基体之无孔半导体层中形成一用于电晶体之活性区域。7.一种使SOI基体退火于还原空气中的退火方法,包含步骤:藉由固持部分来固持SOI基体且使该SOI基体退火,而该固持部分不含藉由烧结所形成之碳化矽,并且具有一形成自由CVD所沈积之碳化矽的表面。8.如申请专利范围第7项之方法,其中,退火被实施低于单晶矽之熔点的温度。9.如申请专利范围第7项之方法,其中,退火被实施于不低于775℃之温度。10.如申请专利范围第7项之方法,其中,退火被实施于不低于966℃之温度。11.如申请专利范围第7项之方法,其中,退火被实施于不低于993℃之温度。12.一种半导体装置制造方法,包含步骤:使用如申请专利范围第7项之退火方法来使SOI基体退火;以及在SOI基体之无孔半导体层中形成一用于电晶体之活性区域。图式简单说明:图1系根据本发明实施例之设备的剖面图;图2系根据先前技艺之设备的剖面图;图3系固持晶圆之晶舟的纵向剖面图;图4系沿着直线C-C所取下之剖面图;以及图5A至5D系使用根据本发明实施例之半导体晶圆所形成之半导体装置的剖面图。 |
