| 发明名称 | 超导磁场屏蔽室 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及超导磁场屏蔽窒，该屏蔽室包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB<SUB>2</SUB>膜，在该管端口盖有用MgB<SUB>2</SUB>制作的顶盖。本实用新型采用两步法制备MgB<SUB>2</SUB>超导屏蔽室，该法制备的屏蔽室质地均匀、致密，电、磁屏蔽性能强，而且工艺简单，生长迅速，原材料及设备成本低廉，容易生长大的MgB<SUB>2</SUB>超导屏蔽室，适于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN2569535Y | 申请公布日期 | 2003.08.27 |
| 申请号 | CN02246154.X | 申请日期 | 2002.09.17 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 张芹;许加迪;周岳亮;朱亚彬;王淑芳;陈正豪;吕惠宾;杨国桢 |
| 分类号 | H05K9/00 | 主分类号 | H05K9/00 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 1.一种超导磁场屏蔽室，包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB2膜，在该管端口盖有用MgB2制作的顶盖。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||