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<p>Verfahren und Vorrichtung zum Erfassen eines Durchbruchs eines BipolartransistorsDer vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß von der bisherigen Vorgehensweise,einen Durchbruch an einer Verstärkerstufe 10 basierend auf seinem Ausgangssignal zu erfassen, abgegangen werden muß, da die Ausgangsspannung lediglich einen ungefähren Anhaltspunkt dafür gibt, wann eine Überspannung eintritt. Ein Durchbruch eines zu schützenden Bipolartransistors 10 wird dadurch erfaßt, daß der Kollektor-Emitter-Strecke des zu schützenden Bipolartransistors 10 eine Kollektor-Emitter-Strecke eines Meßbipolartransistors 18 parallel geschaltet wird, und daß eine Detektorschaltung 20, 22, die mit einer Basis des Meßbipolartransistors 18 gekoppelt ist, den Basisstrom an der Basis des Meßbipolartransistors auf einen Durchbruchstrom hin überwacht, um auf diese Weise einen Durchbruch des Bipolartransistors 10 zu erfassen bzw. auf einen Durchbruch des Bipolartransistors 10 rückzuschließen.</p> |
