存储器单元装置及其制造方法

摘要

一种存储器单元装置包括三维布置的各晶体管。在此各垂直MOS晶体管是布置在半导体接片的各侧壁上的，在此在每个侧壁上相叠地布置了多个晶体管。这些在侧壁上相叠地布置的各晶体管是串联的。

主权项

1.存储器单元装置，—其中，在半导体衬底的一个主面上布置了探出半导体衬底主面的各接片，—其中，这些接片各自具有一个各掺杂层的层叠，在此层叠中互相相邻的各层是各自由相反导电型掺杂的，—其中，每三个相邻掺杂层形成晶体管的两个源/漏区和一个沟道区，—其中，各层叠的至少一个侧壁是配备了一种栅极电介层的，—其中，在各层叠的各侧壁范围中各自界靠到栅极电介层的各字线横对这些接片延伸，—其中，起源/漏区作用的各掺杂层作为各位线起作用，—其中，在此层叠中安排这么多的掺杂层，使得通过这些掺杂层至少实现两个相叠地布置的晶体管，这些晶体管是经一个起共同源/漏区作用的共同掺杂层串联的。