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发明名称
Element-isolated hydrogen-terminated diamond semiconductor device and its manufacturing method
摘要
申请公布号
EP0702403(B1)
申请公布日期
2003.08.20
申请号
EP19950114310
申请日期
1995.09.12
申请人
TOKYO GAS CO., LTD.
发明人
YAMASHITA, SATOSHI;KAWARADA, HIROSHI;ITOH, MASAHIRO;NAKAMURA, NAOFUMI
分类号
H01L21/04;H01L21/338;H01L21/76;H01L29/16;H01L29/812;(IPC1-7):H01L27/04;H01L21/18;H01L21/322
主分类号
H01L21/04
代理机构
代理人
主权项
地址
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