发明名称 互补金属氧化物半导体影像感测器
摘要 一种拍摄清晰影像用之低功率CMOS影像感测器,其中无需变更电路元件而于毗邻像素间不会产生干扰。各排列类似矩阵之像素电路将入射光使用光电转换元件转成电信号。由水平方向彼此毗邻之像素电路输出之影像信号被输入各行之信号处理电路,进行预定信号处理,且藉水平扫描电路循序切换与输出。信号处理电路经排列,彼此并联之各固定电位线路系位于信号处理电路间。因此毗邻信号处理电路藉固定电位线路所电屏蔽。
申请公布号 TW200303088 申请公布日期 2003.08.16
申请号 TW091135083 申请日期 2002.12.03
申请人 富士通股份有限公司 发明人 国分政利
分类号 H01L27/146 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本