| 发明名称 | 制备衬底的方法以及使用该方法获得的衬底 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制备衬底的方法，特别是用在光学、电子学或光电子学领域中，包括将第一材料的有源部件(10，16)键合到含有第二材料的支持基板(2)的一个表面上的操作。本发明的特征在于：进一步包括一淀积操作，将一非晶材料(6)淀积到由第二材料组成的支持基板(2)的表面上并用来接收由第一材料组成的部件，或者将非晶材料(6)淀积到由第一材料组成的有源部件上并用来和支持基板(2)键合，以及第二材料比第一材料的耐腐蚀性差。本发明还涉及一种制备衬底的方法，特别是用在光学、电子学或光电子学领域中，包括将第一材料的有源部件(10)键合到含有第二材料的支持基板(2)的一个表面上的操作，该方法的特征在于：有源部件(10)或支持基板(2)至少在其中一个表面上含有用来键合的多晶材料，以及其中进一步包括，在键合前，在含有多晶材料的单表面或多面上形成一非晶材料层(6)的操作。 | ||
| 申请公布号 | CN1436369A | 申请公布日期 | 2003.08.13 |
| 申请号 | CN01811069.X | 申请日期 | 2001.06.15 |
| 申请人 | S.O.I.硅绝缘体技术公司 | 发明人 | A·奥贝通赫维 |
| 分类号 | H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 鲍玲;王刚 |
| 主权项 | 1、一种制备衬底的方法，特别是用在光学、电子学或光电子学领域中，包括将第一材料的有源部件(10，16)键合到含有第二材料的支持基板(2)的一个表面上的操作，其特征在于：进一步包括一淀积操作，将一非晶材料(6)淀积到由第二材料组成的支持基板(2)的表面上并用来接收由第一材料组成的部件，或者将非晶材料(6)淀积到由第一材料组成的有源部件上并用来和支持基板(2)键合，以及其中，第二材料比第一材料的耐腐蚀性差。 | ||
| 地址 | 法国柏宁 | ||