利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法及其电路

摘要

利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法和电路，编程电路包括一个字线解码器、一个可调电压发生器和一个列晶体管，该编程电路在编程一个含有选择晶体管和一个数据存储元件的存储器单元是有用的，数据存储元件是被编程电流编程的，编程电流的数量可以被列晶体管、选择晶体管、或可调电压发生器来调整。

主权项

1.一种用于存储器单元编程的设备，存储器单元包含一个选择晶体管和一个数据存储元件，上述的选择晶体管有一个栅与选择字线相连，源与上述的数据存储元件的第一端点相连，漏与列位线相连，其特征是上述设备包括：列电流控制晶体管连接到上述列位线；字线解码器通过上述选择字线连接到上述选择晶体管的栅，上述字线解码器提供一个输出信号给上述选择晶体管来激活上述选择晶体管；一个可调电压发生器提供一个可变电压输出，一个高电压电平转换器通过行字线连接到上述数据存储元件的第二端点，上述高电压电平转换器连接到上述可调电压发生器并且实施把上述变化电压输出加到上述行字线。