发光器件

摘要

一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高V_GS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。

主权项

1.一种发光器件，包括：多个像素，每个像素包括：一个发光元件；和一个驱动晶体管；其中，用于保持每个驱动晶体管的栅-源电压的电容器由驱动晶体管的栅极、半导体层中的沟道形成区、和其间的绝缘薄膜构成。