| 发明名称 |
Method for fabricating a capacitor utilizing hemispherical grain silicon |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2341725(B) |
申请公布日期 |
2003.07.23 |
| 申请号 |
GB19990009306 |
申请日期 |
1999.04.22 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS COMPANY LIMITED |
发明人 |
KYUNG-HOON * KIM;SUNG-TAE * KIM |
| 分类号 |
H01L27/108;H01L21/02;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/320 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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