发明名称 扩散式晶圆型态封装结构以及其制程
摘要 本发明之扩散式晶圆型态封装包含一载体,其中形成穿孔于其中;导电层图案,分布于上述穿孔表面以及位于部分之载体上表面;介电层,配置于该载体之上表面且曝露部分之上述导电层图案;晶片,藉由第一导电凸块连接于上述被曝露之导电层图案用以形成电形连接;封装胶体,覆盖于上述之晶片以及上述介电层之上;第二导电凸块,配置于上述载体之下表面且对位于上述之穿孔。
申请公布号 TW543125 申请公布日期 2003.07.21
申请号 TW091110175 申请日期 2002.05.15
申请人 裕沛科技股份有限公司 发明人 孙文彬;林明辉;杨文彬;杨文焜
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区南京东路二段一一一号八楼之三;谢德铭 台北市中山区南京东路二段一一一号八楼之三
主权项 1.一种扩散式晶圆型态封装包含:一载体,其中具有穿孔于其中;导电层图案,分布于上述穿孔表面以及位于部分之载体上表面;介电层,配置于该载体之上表面且曝露部分之上述导电层图案;晶片,藉由第一导电凸块连接于上述被曝露之导电层图案用以形成电形连接;封装胶体,覆盖于上述之晶片以及上述介电层之上;第二导电凸块,配置于上述载体之下表面且对位于上述之穿孔。2.如申请专利范围第1项之扩散式晶圆型态封装,其中该载体材质包含锡膏罩幕材料或环氧树脂或二乙烯基矽氧烷双苯并环丁烯树脂或聚亚醯胺树脂所组成。3.如申请专利范围第1项之扩散式晶圆型态封装,其中该第一导电凸块包含锡球或金凸块或其合金。4.如申请专利范围第1项之扩散式晶圆型态封装,其中该第二导电凸块包含锡球或金凸块或其合金。5.一种扩散式晶圆型态封装之制程,该扩散式晶圆型态封装之制程包含:提供一基板;涂布罩幕层于上述基板之上;图案化该罩幕层用以曝露部分该基板;形成导电图案于部分罩幕层图案上以及该曝露之基板上;形成介电层图案于该罩幕层、该导电图案之上并曝露部分之上述导电图案;以第一导电凸块将晶片连接于上述被曝露之导电层图案用以形成电形连接;形成封装胶体于上述晶片之上;剥除上述基板;形成第二导电凸块定位于被曝露出之上述导电图案;及切割分离封装单体,用以形成上述扩散式晶圆型态封装。6.如申请专利范围第5项之扩散式晶圆型态封装之制程,其中该基板包含玻璃。7.如申请专利范围第5项之扩散式晶圆型态封装之制程,其中该基板包含陶瓷。8.如申请专利范围第5项之扩散式晶圆型态封装之制程,其中该基板包含石英。9.如申请专利范围第5项之扩散式晶圆型态封装之制程,其中该罩幕层材质包含锡膏罩幕材料所组成。10.如申请专利范围第5项之扩散式晶圆型态封装之制程,其中该第一导电凸块包含锡球或金凸块或其合金。11.如申请专利范围第5项之扩散式晶圆型态封装之制程,其中该第二导电凸块包含锡球或金凸块或其合金。图式简单说明:第一图所显示为本发明形成罩幕层于基板上之截面图。第二图所显示为本发明形成导电层之截面图。第三图所显示为本发明形成介电层之截面图。第四图所显示接合晶片之截面图。第五图所显示为本发明涂布封装胶体之截面图。第六图所显示为本发明去除基板之截面图。第七图所显示为本发明植入导电凸块之截面图。第八图所显示为本发明切割单体之截面图。第九图所显示为本发明切割后封装单体之截面图。
地址 新竹县湖口乡光复北路六十五号