| 主权项 |
1.一种具有膜结构的射频电路的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:在金属基板中形成一空腔;在绝缘材料板上形成电路单元,所述绝缘材料板的两面或一面接合有铜;把具有空腔的金属基板与形成有电路单元的绝缘材料板接合在一起;在所述电路单元上安装有源元件;和把具有间壁的盖接合到装有有源元件的电路上。2.如申请专利范围第1项所述的制造射频电路的方法,其特征在于,在绝缘材料板上形成电路单元的步骤包括以下步骤:在其两面或一面接合有铜的绝缘材料板上形成电路图案;在对应于通孔的位置形成穿孔;和在穿孔中埋置连接导体,形成通孔。3.如申请专利范围第2项所述的制造射频电路的方法,其特征在于,还包括在安装有源元件的位置上形成空腔的步骤。4.如申请专利范围第2项所述的制造射频电路的方法,其特征在于,在对应于通孔的位置形成穿孔的步骤,是用紫外光镭射加工、钻孔与干法蚀刻之一实现的。5.如申请专利范围第3项所述的制造射频电路的方法,其特征在于,在安装有源元件的位置形成空腔的步骤,是用紫外光镭射加工、钻孔与干法蚀刻之一实现的。6.一种具有膜结构的射频电路的制造方法,其特征在于,该制造方法包括下述步骤:第一步,用模具冲切金属基板而形成空腔;第二步,对第一步冲切的金属小板作表面处理;第三步,把第二步表面处理过的金属小板插入金属基板空腔内;和第四步,在金属基板上设置绝缘材料,再将它们通过热压而接合在一起。7.如申请专利范围第6项所述的制造射频电路的方法,其特征在于,对金属小板作表面处理的步骤,是施加矽或聚四氟乙烯系的表面处理材料的步骤。8.如申请专利范围第6项所述的制造射频电路的方法,其特征在于,对金属小板作表面处理的步骤,是涂布或蒸涂有机膜的步骤。9.如申请专利范围第6项所述的制造射频电路的方法,其特征在于,对金属小板作表面处理的步骤,是用等离子体或臭氧清洁的步骤。10.一种膜结构型射频电路,其特征在于包括:包含传输线的电路图案,所述图案形成在其两面或一面接合了铜的绝缘材料板上;其有源元件装在电路图案预定位置的电路单元;其空腔耦合至电路单元的金属基板;和耦合成覆盖电路单元预定位置的盖。11.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,所述绝缘材料板有一层或两层或更多层。12.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,所述盖外周还包括围绕射频电路的间壁。13.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,所述金属基板是一种带凸出部的形式,凸出部里面有一空腔。14.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,还包括形成于空腔区的波导和耦合至波导的天线。15.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,还包括连接至所述射频电路的第二射频电路,所述第二射频电路具有内设天线与波导部件的连接外壳,连接外壳的波导部件连接成与金属基板的凸出部相耦合。16.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,所述绝缘材料板的介电损失正切在1GHZ时为0.003或更小。17.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,所述绝缘材料板是液晶聚合物、苯并环丁烯、含聚四氟乙烯聚醯亚胺之一。18.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,所述金属基板材料是铜或含铜合金。19.如申请专利范围第10项所述的射频电路,其特征在于,所述盖内部为真空态或充有惰性气体或氮气。20.一种装有膜结构射频电路的无线电终端设备,其特征在于包括:一种包括传输线的电路图案,所述图案形成在其两面或一面接合了铜的绝缘材料板上;一种其有源元件装在电路图案预定位置的电路单元;其空腔耦合至电路单元的金属基板;和耦合成覆盖住电路单元预定位置的盖。21.一种装有膜结构型射频电路的无线电基站设备,其特征在于包括:一种包含传输线的电路图案,所述图案形成在其两面或一面接合了铜的绝缘材料板上;一种其有源元件装在电路图案预定位置的电路单元;其空腔耦合至电路单元的金属基板;和耦合成覆盖住电路单元预定位置的盖。22.一种装有膜结构型射频电路的无线电测量设备,其特征在于包括:一种包含传输线的电路图案,所述图案形成在其两面或一面接合了铜的绝缘材料板上;一种其有源元件装在电路图案预定位置的电路单元;其空腔耦合至电路单元的金属基板;和耦合成覆盖住电路单元预定位置的盖。23.一种装有膜结构型射频电路的雷达设备,其特征在于包括:一种包含传输线的电路图案,所述图案形成在其两面或一面接合了铜的绝缘材料板上;一种其有源元件装在电路图案预定位置的电路单元;其空腔耦合至电路单元的金属基板;和耦合成覆盖住电路单元预定位置的盖。图式简单说明:第1图是使用普通金属芯基板的膜结构射频电路的剖面图;第2图是示出本发明第一实施例的射频电路的剖面图;第3图是本发明第一实施例除去盖的射频电路平面图,其中第3A图是从下面观看的盖的平面图,第3B图是射频电路除去盖后的平面图;第4图是本发明第一实施例的射频电路盖的透视图;第5A~5D图是示出本发明第一实施例的射频电路的电路制造工艺的剖面图;第6图是本发明第二实施例的射频电路的剖面图;第7图是本发明第三实施例的射频电路的剖面图;第8图是本发明第四实施例的射频电路的剖面图;第9图是本发明第五实施例的射频电路的剖面图;第10图是本发明第五实施例射频电路盖的透视图;第11图是本发明第六实施例射频电路的剖面图;第12图是本发明第六实施例底面侧射频电路的透视图;第13图是本发明第六实施例射频电路与另一射频电路连接后的剖面图;第14A~14F图是示出本发明第七实施例的射频电路制造方法过程的剖面图;第15A~15F图是示出本发明第八实施例的射频电路制造方法过程的剖面图;第16A~16E图是示出本发明第九实施例的射频电路制造方法过程的剖面图;和第17A~17E图是示出本发明第十实施例的射频电路制造方法过程的剖面图。 |
