发明名称 METHOD FOR PRODUCING A TOPOLOGY-OPTIMIZED ELECTRODE FOR A THIN FILM RESONATOR
摘要 <p>Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Elektrode (106) für einen Resonator in Dünnfilmtechnologie, wird die Elektrode (106) des Resonators in einer isolierenden Schicht (126) derart eingebettet, dass eine Oberfläche (110) der Elektrode (106) freiliegt, und dass eine durch die Elektrode (106) und die isolierende Schicht (126) festgelegte Oberfläche im wesentlichen planar ist.</p>
申请公布号 WO03058811(A1) 申请公布日期 2003.07.17
申请号 WO2002EP14190 申请日期 2002.12.12
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;AIGNER, ROBERT;ELBRECHT, LUEDER;MARKSTEINER, STEPHAN;NESSLER, WINFRIED 发明人 AIGNER, ROBERT;ELBRECHT, LUEDER;MARKSTEINER, STEPHAN;NESSLER, WINFRIED
分类号 H01L41/22;H01L41/083;H01L41/09;H03H3/02;H03H9/17;(IPC1-7):H03H3/02 主分类号 H01L41/22
代理机构 代理人
主权项
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