| 主权项 |
1.一种至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,包含:利用含氧气或臭氧与氮气之混合气体在钌或氧化钌上灰化感光物质,其中氮气的组成百分比为50%或更多。2.依照申请专利范围第1项之至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,其中灰化步骤系藉由在200℃或更高之温度加热其上形成钌或氧化钌的基板而执行。3.依照申请专利范围第1项之至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,其中利用感光物质作为光罩在钌或氧化钌上蚀刻层间绝缘膜之后执行灰化。4.依照申请专利范围第1项之至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,其中可利用感光物质作为光罩将钌或氧化钌图案化后执行灰化。5.一种至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,包含以下各步骤:在基板上形成由钌或氧化钌制成之薄膜;在钌或氧化钌膜上形成层间绝缘膜;在层间绝缘膜上涂布感光物质,及将涂布之感光物质图案化;利用已图案化之感光物质作为光罩蚀刻层间绝缘膜;以及利用提供包含氧气或臭氧及包含氮气之混合气体的灰化气体,来灰化己图案化之感光物质,其中氮气之组成百分比为50%或更多。6.依照申请专利范围第5项之至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,其中藉由在200℃或更高之温度加热基板来执行灰化步骤。7.依照申请专利范围第5项之至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,其中用来暴露钌膜或氧化钌膜的接触孔系在蚀刻层间绝缘膜的步骤中形成。8.依照申请专利范围第5项之至少具有钌与氧化钌之其一的半导体装置的制造方法,其中层间绝缘膜由二氧化矽制成。图式简单说明:图1a至1e为横剖面图,显示包含如第一习知例之Ru膜的半导体装置之制造方法的个别步骤,而第一习知例中在蚀刻接触孔后执行光阻的灰化;图2a至2e为横剖面图,显示包含如第二习知例之Ru膜的半导体装置之制造方法的个别步骤,而第二习知例中在蚀刻接触孔后执行光阻的灰化;图3a至3e为横剖面图,显示包含如本发明之较佳实施例之其一的Ru膜的半导体装置之制造方法的个别步骤,而第一习知例中在蚀刻接触孔后执行光阻的灰化;图4为曲线图,显示关于由O2气与N2气混合提供之气体的组成之灰化率与选择性的特征特色;以及图5为曲线图,显示关于在灰化步骤中之基板温度之灰化率与选择性的特征特色。 |
