| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括一具有第一主表面上之一第一电极的第一半导体晶片以及一具有第二主表面上之一第二电极的第二半导体晶片,该第一及第二半导体晶片彼此整合之后使该第一及第二主表面彼此相对而该第一及第二电极则会以电气方式连接,该第二半导体晶片的厚度小于该第一半导体晶片的厚度。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第二半导体晶片的厚度约为该第一半导体晶片厚度的二分之一或更小。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括一介于该第一及第二主表面之间的树脂层。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括一树脂封装以压缩该第一及第二半导体晶片。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第一主表面的面积大于该第二主表面的面积,第三电极系位于与该第二主表面相对的第一主表面的外部区域,与该第一半导体晶片的第一主表面相对的表面会黏着至一晶粒垫,在该晶粒垫的附近会有一条导线,该导线及该第三电极系透过一焊接线连接,以及该第一半导体晶片,该第二半导体晶片以及该焊接线都系压缩在树脂封装中。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中从该第一主表面到与该第二半导体晶片的第二主表面相对的表面的距离小于从该第一主表面到该第一主表面的焊接线的最高位置的距离。7.一种制造半导体装置的方法,其包括一具有第一主表面上之一第一电极的第一半导体晶片,以及一具有第二主表面上之一第二电极的第二半导体晶片,该方法包括:第一步骤,藉由将该第一及第二主表面排列成相对的方式以及以电气方式连接该第一及第二电极以整合该第一及第二半导体晶片;以及第二步骤,从该第二主表面的对侧研磨与该第一半导体晶片整合的第二半导体晶片,使得该第二半导体晶片的厚度小于该第一半导体晶片的厚度。8.如申请专利范围第7项之制造半导体装置的方法,其中该第一步骤包括在该第一及第二主表面之间形成一树脂层的步骤。9.如申请专利范围第7项之制造半导体装置的方法,其中该第二步骤包括将该第二半导体晶片的厚度减少至最多为该第一半导体晶片厚度的二分之一。10.如申请专利范围第7项之制造半导体装置的方法,其中该第一主表面的面积大于该第二主表面的区域,第三电极系位于与该第二主表面相对的第一主表面的外部区域,以及该第二步骤会进行将与该第一半导体晶片的第一主表面相对的表面黏着至一晶粒垫;在该晶粒垫附近放置一条导线,透过一焊接线连接该导线及该第三电极;以及形成一树脂封装以压缩该第一半导体晶片,该第二半导体晶片以及该焊接线的步骤。11.如申请专利范围第10项之制造半导体装置的方法,其中该第二步骤包括将从该第一主表面到与该第二半导体晶片之第二主表面相对之表面之间的距离安排成小于从该第一主表面到该第一主表面上该焊接线之最高位置之间的距离的步骤。12.一种制造半导体装置的方法,包括一具有第一主表面上之一第一电极的第一半导体晶片,以及一具有第二主表面上之一第二电极的第二半导体晶片,该方法包括:第一步骤,藉由将该半导体晶圆中每个第一半导体晶片之第一主表面安置在每个第二半导体晶片之第二主表面的对面以及以电气方式连接该半导体晶圆中每个第一半导体晶片之第一电极与每个第二半导体晶片之第二电极以将半导体晶圆整合成多个第一半导体晶片及多个离散的第二半导体晶片;第二步骤,从该第二主表面的对侧研磨与该半导体晶圆整合的第二半导体晶片,使得每个该第二半导体晶片的厚度都小于该半导体晶圆的厚度;及第三步骤,将与该第二半导体晶片整合的半导体晶圆分开成多个离散的第一半导体晶片,从而形成多个晶片层主体,每个主体都包括一离散的第一半导体晶片及一离散的第二半导体晶片,其彼此整合在一起。13.如申请专利范围第12项之制造半导体装置的方法,其中该第一步骤包括在该半导体晶圆之每个该第一半导体晶片的第一主表面与每个该第二半导体晶片之第二主表面之间形成一树脂层的步骤。14.如申请专利范围第12项之制造半导体装置的方法,其中该第二步骤包括将每个该第二半导体晶片的厚度减少至最多为该半导体晶圆厚度的二分之一。15.如申请专利范围第12项之制造半导体装置的方法,其中该第一主表面的面积大于该第二主表面的面积,第三电极系位于与该第二主表面相对的第一主表面的外部区域,以及在该第三步骤之后,每个晶片层主体都会接受将与该第一主表面相对的该第一半导体晶片之表面黏着至一晶粒垫;在该晶粒垫附近放置一条导线,透过一焊接线连接该导线及该第三电极;以及形成一树脂封装以压缩该第一半导体晶片,该第二半导体晶片以及该焊接线的步骤。16.如申请专利范围第15项之制造半导体装置的方法,其中该第二步骤包括将从该半导体晶圆中每个该第一半导体晶片之该第一主表面到与该第二主表面相对之每个该第二半导体晶片之表面之间的距离安排成小于从该半导体晶圆中每个该第一半导体晶片之该第一主表面到与该第一主表面上该焊接线之最高位置之间的距离的步骤。图式简单说明:图1所示的系根据本发明第一具体实例之半导体装置的切面图;图2所示的系根据该第一具体实例修改后之半导体装置的切面图;图3所示的系根据本发明第二具体实例之半导体装置的切面图;图4A及4B所示的系根据本发明之第三具体实例制造半导体装置之方法中的步骤的切面图;图5A及5B所示的系根据本发明之第三具体实例制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图6A及6B所示的系根据本发明之第三具体实例制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图7所示的系根据第三具体实例制造半导体装置之方法的一个步骤的切面图;图8A及8B所示的系根据本发明之第三具体实例修改后之制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图9A及9B所示的系根据本发明之第三具体实例修改后之制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图10所示的系根据第三具体实例修改后之制造半导体装置之方法的一个步骤的切面图;图11A及11B所示的系根据本发明之第四具体实例之制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图12A及12B所示的系根据本发明之第四具体实例之制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图13A,及13B所示的系根据本发明之第四具体实例之制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图14所示的系根据第四具体实例制造半导体装置之方法的一个步骤的切面图;图15A及15B所示的系根据本发明之第四具体实例修改后之制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图16A,及16B所示的系根据本发明之第四具体实例修改后之制造半导体装置之方法的步骤的切面图;图17所示的系根据第四具体实例修改后之制造半导体装置之方法的一个步骤的切面图;图18所示的系传统半导体装置之切面图;图19A及19B所示的系制造传统半导体装置之方法的步骤的切面图;以及图20A,及20B所示的系制造传统半导体装置之方法的步骤的切面图。 |
