| 主权项 |
1.一种发光装置,具备有引线,和前记引线有小部分埋入的树脂部,和设于前记树脂部的开口部有架设于前记引线上的第一半导体发光元件,和前记开口部有架设于前记引线上的半导体元件,和连接前记第一半导体发光元件与前记引线的导线,其特征为架设于前记第一半导体发光元件部分与连接前记导线部分之间的前记引线设有缺角。2.一种发光装置,具备有第一引线,和第二引线,和前记第一及第二引线有小部分埋入的树脂部,和设于前记树脂部的开口部有架设于前记第一引线上的第一半导体发光元件,和前记开口部有架设于前记第二引线上的半导体元件,和连接前记第一半导体发光元件与前记第二引线的第一导线,和连接前记半导体元件与前记第一引线的第二导线,其特征为架设于前记第一半导体发光元件部分与连接前记第二导线部分之间的前记第一引线设有第一缺角,架设于前记半导体发光元件部分与连接前记第一导线部分之间的前记第二引线设有第二缺角。3.如申请专利范围第1项或第2项所记载的发光装置,其中上述的第一半导体发光元件配置于前记开口部的中央。4.如申请专利范围第1项或第2项所记载的发光装置,其中上述的开口部形状为略椭圆形或略偏平圆的椭圆形。5.一种发光装置,具备有第一引线,和第二引线,和前记第一及第二引线有小部分埋入的树脂部,和设于前记树脂部的开口部有架设于前记第一引线上的第一半导体发光元件,和前记开口部有架设于前记第一引线上的半导体元件,和连接前记第一半导体发光元件与前记第二引线的第一导线,和连接前记半导体发光元件与前记第二引线的第二导线,其特征为前记开口部的开口形状为略椭圆形或略偏平圆的椭圆形,前记第一半导体发光元件与前记半导体元件沿着前记略椭圆形或略偏平圆的椭圆形之长轴方向配置。6.一种发光装置,具备有第一引线,和第二引线,和前记第一及第二引线有小部分埋入的树脂部,和设于前记树脂部的开口部有架设于前记第一引线上的第一半导体发光元件,和前记开口部有架设于前记第一引线上的半导体元件,和连接前记第一半导体发光元件与前记第二引线的第一导线,和连接前记半导体元件与前记第二引线的第二导线,其特征为前记开口部的开口形状为略椭圆形或略偏平圆的椭圆形,前记第一半导体发光元件与前记半导体元件沿着前记略椭圆形或略偏平圆的椭圆形之短轴方向配置。7.如申请专利范围第5项或第6项所记载的发光装置,具备有连接前记第一半导体发光元件与前记第一引线的第三导线,其中前记的第一引线在架设于前记第一半导体发光元件部分与连接前记第三导线部分之间的设有缺角。8.如申请专利范围第1项,第2项,第5项或第6项所记载的发光装置,其中前记的半导体元件为第二半导体发光元件。9.如申请专利范围第8项所记载的发光装置,其中前记的第一半导体发光元件与前记第二半导体发光元件放出互为相异的尖峰波长。10.如申请专利范围第1项,第2项,第5项或第6项所记载的发光装置,其中前记的第一半导体发光元件具有氮化物半导体发光层,前记半导体元件为保护用二极体。11.如申请专利范围第1项,第2项,第5项或第6项所记载的发光装置,其中具备了吸收从前记的第一半导体发光元件放出的光线且放出相异波长光线的萤光体。12.如申请专利范围第11项所记载的发光装置,更具备有填充于前记开口部的封闭体,其中前记萤光体与前记封闭体混合。图式简单说明:第一图是显示构成本发明发光装置之第一实施型态主要部分之模式图。亦即同图(a)为其平面图,同图(b)为其A-A线切面图。第二图是显示第一实施型态的第一变型例之平面图。第三图是显示可强烈发紫外线至绿色波长范围光线的使用氮化物半导体之半导体发光元件的构造切面模式图。第四图是显示第一实施型态的第二变型例之平面图。第五图是显示半导体发光元件106D构造例之切面图。第六图是显示第一实施型态的第三变型例之平面图。第七图是显示第一实施型态的第四变型例之平面图。第八图是显示第一实施型态的第五变型例之平面图。第九图是显示关于本发明第二实施型态发光装置的主要部分构造之平面模式图。第十图是显示第二实施型态的变型例之平面图。第十一图是显示关于本发明第三实施型态发光装置的主要部分构造之平面模式图。第十二图是显示第三实施型态的变型例之平面图。第十三图是显示关于本发明第四实施型态发光装置的主要部分构造之平面模式图。第十四图是显示以往发光装置典型例之概念图,同图(a)是显示其主要部分构造,同图(b)为其切面图。第十五图是显示发明人在本发明试作过程的发光装置平面构造概念图。 |
