半导体装置

摘要

一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅基板50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅基板50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型单晶半导体基板、在该单晶半导体基板上成长的第二导电型的外延半导体层、在该外延半导体层内形成的第一导电型阱区域、在所述第一导电型阱区域的底部相接的第一导电型埋入层、与该第一导电型埋入层局部重叠而形成并将所述第一导电型阱区域自所述单晶半导体基板电分离的第二导电型埋入层、在所述第一导电型阱区域内形成的MOS晶体管。