半导体激光器件及其制造方法和激光器条锁定装置

摘要

本发明公开了一种半导体激光器芯片，其具有一有源层和一形成半导体激光器芯片的下表面的整体覆盖的电极；一Si薄膜，形成在该半导体激光器芯片的发光端面上；一保护膜，具有规定的反射率且形成在该Si薄膜上。该Si薄膜由形成在发光端面的上部的一上Si薄膜和形成在发光端面的下部的一下Si薄膜构成；该上Si薄膜覆盖该有源层的一端，该下Si薄膜覆盖该整体覆盖的电极的一端；该下Si薄膜的厚度比该上Si薄膜的厚度小。这样，防止了整体覆盖的电极的成份扩散到覆盖有源层的上Si薄膜中。这样，防止最大光输出值的降低，增加激光器芯片的可靠性。本发明还公开了此半导体激光器的制造方法及一种应用此激光器的激光器条锁定装置。

主权项

1.一种半导体激光器件，包括：一具有一有源层和一整体覆盖的电极的半导体激光器芯片，该整体覆盖的电极形成该半导体激光器芯片的一下表面；一形成在该半导体激光器芯片的一发光端面上的Si薄膜；以及一具有规定的反射率且形成在该Si薄膜上的保护膜，其中该Si薄膜由形成在该发光端面的上部的一上Si薄膜和形成在该发光端面的下部的一下Si薄膜构成；该上Si薄膜覆盖该有源层的一端，该下Si薄膜覆盖该整体覆盖的电极的一端；以及该下Si薄膜的厚度比该上Si薄膜的厚度小。