发明名称 突波电流抑制电路
摘要 本案系关于一种突波电流抑制电路,系介于一直流电压与一负载之间,该负载具有一并联之储能电容,该突波电流抑制电路包含:一第一限流电路,系包含一第一电阻、一第一受控开关及一第二受控开关,其中该第一电阻与该第一受控开关串联,且该第二受控开关与该第一电阻及该第一受控开关并联;一第二限流电路,系包含一第二电阻及一第三受控开关一电容器,其中该第二电阻与该第三受控开关并联且与一储能电容器串联;其中,该第二限流电路与一系统储能电容并联,且该第一限流电路与该直流电压及该第二限流电路相连;藉以,当该侦测到该直流电压时,使该第一受控开关导通;当该负载二端之电压达到一第一恕限值时,使该第二受控开关导通,进而旁路该第一电阻;当该电容器之电压达到一第二恕限值时,使该第三受控开关导通,进而旁路该第二电阻。
申请公布号 TW539934 申请公布日期 2003.07.01
申请号 TW090130261 申请日期 2001.12.06
申请人 台达电子工业股份有限公司 发明人 潘光华;许智明
分类号 G05F3/00 主分类号 G05F3/00
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中正区忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种突波电流抑制电路,系介于一直流电压与一负载之间,该负载具有一并联之储能电容,该突波电流抑制电路包含:一第一限流电路,系包含一第一电阻、一第一受控开关及一第二受控开关,其中该第一电阻与该第一受控开关串联,且该第二受控开关与该第一电阻及该第一受控开关并联;一第二限流电路,系包含一第二电阻及一第三受控开关一电容器,其中该第二电阻与该第三受控开关并联且与一储能电容器串联;其中,该第二限流电路与一系统储能电容并联,且该第一限流电路与该直流电压及该第二限流电路相连;藉以,当该侦测到该直流电压时,使该第一受控开关导通;当该负载二端之电压达到一第一恕限値时,使该第二受控开关导通,进而旁路该第一电阻;当该电容器之电压达到一第二恕限値时,使该第三受控开关导通,进而旁路该第二电阻。2.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该负载系为直流-直流转换器(DC/DC Converter)。3.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该第一受控开关选自包含电译开关(relay)、二极体电晶体(bipolar transistor)或金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)之族群。4.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该第二受控开关系为金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)。5.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该第三受控开关系为金属氧化半导体场效电晶体(MOSFET)。6.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该第一恕限値系为该直流电压値之30%至80%。7.如申请专利范围第6项所述之突波电流抑制电路,其中该第一恕限値系为该直流电压値之50%至70%。8.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该第二恕限値系为该直流电压値之70%至100%。9.如申请专利范围第8项所述之突波电流抑制电路,其中该第二恕限値系为该直流电压値之80%至100%。10.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该第二受控开关系以软启动方式导通。11.如申请专利范围第1项所述之突波电流抑制电路,其中该第三受控开关系以软启动方式导通。12.一种突波电流抑制电路,系介于一直流电压与一负载之间,该负载具有一并联之储能电容,该突波电流抑制电路包含:一第一限流电路,系包含一第一电阻、一第一受控开关及一第二受控开关,其中该第一电阻与该第一受控开关串联,且该第二受控开关与该第一电阻及该第一受控开关并联;一第二限流电路,系包含一第二电阻及一第三受控开关一电容器,其中该第二电阻与该第三受控开关并联且与一储能电容器串联;其中,该第二限流电路与一系统储能电容并联,且该第一限流电路与该直流电压及该第二限流电路相连;藉以,当该侦测到该直流电压时,使该第一受控开关导通;当该负载二端之电压达到一第一恕限値时,使该第二受控开关软启动导通,进而旁路该第一电阻;当该电容器之电压达到一第二恕限値时,使该第三受控开关软启动导通,进而旁路该第二电阻。图式简单说明:第一图:习用技艺中应用于直流电源之突波电流抑制电路第二图:本案较佳实施例之突波电流抑制电路之电路图第三图(a)至(d):本案突波电流抑制电路之运作机制
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