| 主权项 |
1.一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基(Schottky)结构,包括:一砷化镓(GaAs)半导体基板;一金属钛(Ti)层,分布于该砷化镓(GaAs)半导体基板上,以形成萧基接触;一扩散障碍层,分布于该金属钛(Ti)层上,用以阻挡金属层之扩散;以及一第一金属铜(Cu)层,分布于该扩散障碍层上,以形成萧基结构;藉由该扩散障碍层,俾可使后续的铜(Cu)金属制程直接镀在第一金属铜(Cu)层。2.如申请专利范围第1项所述之一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构,其中金属钛(Ti)层其薄膜厚度是50nm到100nm之间。3.如申请专利范围第1项所述之一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构,其中金属钛(Ti)层制程系采用溅镀或蒸镀方式。4.如申请专利范围第1项所述之一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构,其中扩散障碍层材料,系选自钨(W)、氮化钨(WN)、钴(Co)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)或钼(Mo)等耐火金属材料中择一者。5.如申请专利范围第1项所述之一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构,其中扩散障碍层制程系采用溅镀或蒸镀的方式。6.如申请专利范围第1项所述之一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构,其中扩散障碍层薄膜厚度系是30nm到100nm之间。7.如申请专利范围第1项所述之一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构,其中第一金属铜(Cu)层薄膜厚度系是200nm到350nm之间。8.如申请专利范围第1项所述之一种在砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构,其中第一金属铜(Cu)层制程系采用溅镀或蒸镀方式。图式简单说明:图一系为高电子迁移率电晶体(HEMT)结构示意图;图二系为本发明萧基结构之结构示意图;图三系为习用之砷化镓(GaAs)半导体上的萧基结构之结构示意图;图四系为本案发明之较佳实施例之结构示意图; |
