| 发明名称 | 光刻胶剥离剂组合物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，它在诸如大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)等半导体器件的制造工艺中用于剥离光刻胶。光刻胶剥离剂组合物包含3－10wt％的有机胺化合物，30－60wt％选自DMAc、DMF、DMI、NMP等的溶剂，30－60wt％的水，1－10wt％儿茶酚，间苯二酚，或者它们的混合物，以及1－10wt％的C4－6的直链的多元醇。 | ||
| 申请公布号 | CN1426544A | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN01808573.3 | 申请日期 | 2001.04.25 |
| 申请人 | 东进瑟弥侃株式会社 | 发明人 | 尹锡壹;朴英雄;吴昌一;李相大;柳终顺 |
| 分类号 | G03F7/42 | 主分类号 | G03F7/42 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国平 |
| 主权项 | 1.一种光刻胶剥离剂组合物，它包含：a)3-10wt％的有机胺化合物，b)30-60wt％选自N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)，和N-甲基吡咯烷酮(NMP)的溶剂，c)1-10wt％的儿茶酚、间苯二酚或者它们的混合物，和e)1-10wt％的C4-6的直链多元醇。 | ||
| 地址 | 韩国仁川市 | ||