具有机绝缘层之金属│绝缘体│半导体结构

摘要

本发明系关于一种具有机绝缘层之金属-绝缘体-半导体结构，其包括：一半导体基板、一绝缘层及一金属层。该半导体基板系为Ⅲ-Ⅴ族之氮基材料。该绝缘层形成于该半导体基板上，该绝缘层系为一有机绝缘层。该金属层形成于该绝缘层上。本发明具有机绝缘层之金属-绝缘体-半导体结构，其制程会简化，并可大大地降低成本，且在偏压加至20V时，漏电流相当低并保持常数。有机绝缘层之电容量测中其介电常数为17。并可得一低的临界电压为-5.1V。等效电荷之电荷密度可低于2.31×1010cm-2。故本发明所提供之具有机绝缘层之金属-绝缘体-半导体结构，其各项电气特性均相当良好。

主权项

1.一种具有机绝缘层之金属-绝缘体-半导体结构,其包括:一半导体基板,系为Ⅲ-Ⅴ族之氮基材料;一绝缘层,该绝缘层形成于该半导体基板上,该绝缘层系为一有机绝缘层;及一金属层,该金属层形成于该绝缘层上。2.如申请专利范围第1项之金属-绝缘体-半导体结构,其中该有机绝缘层系为硬杆式共轭高分子材料。3.如申请专利范围第2项之金属-绝缘体-半导体结构,其中该硬杆式共轭高分子材料系杂环芳香族高分子。4.如申请专利范围第3项之金属-绝缘体-半导体结构,其中该硬杆式共轭高分子材料系为聚(对伸苯基苯并双唑)poly(p-phenylenebenzobisthiazole)(PBT)。5.如申请专利范围第1项之金属-绝缘体-半导体结构,其中该有机绝缘层系以旋转涂布(spin-coating)形成于该半导体基板上。6.如申请专利范围第1项之金属-绝缘体-半导体结构,其中该半导体基板为氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)或氮化铝镓铟(InGaAlN)。图式简单说明:图1为本发明之金属-绝缘体-半导体结构示意图;图2为本发明之PBT有机绝缘层之分子结构示意图;图3为本发明金属-绝缘体-半导体结构之电容对电压特性曲线图;图4为本发明金属-绝缘体-半导体结构之对电压特性曲线图;及图5为本发明金属-绝缘体-半导体结构之电流密度对电压特性曲线图。