| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen einer Gate-Elektrode mit dualer Austrittsarbeit einer CMOS-Halbleiterstruktur, wobei die Verbesserung das Bilden der Gate-Elektrode mit dualer Austrittsarbeit aufweist, so daß kein Bor-Eindringen von in den Kanalbereich und keine Bor-Abreicherung nahe des Gate-Oxids auftritt, mit den Schritten: DOLLAR A a) Bilden einer Gate-Oxid-Schicht über einem Kanal eines nMOS-Gebiets und über einem Kanal eines pMOS-Gebiets; DOLLAR A b) Bilden einer undotierten Polysilizium-Schicht über der Gate-Oxid-Schicht; DOLLAR A c) Maskieren des pMOS-Gebiets, Bilden einer a-Si-Schicht über dem nMOS-Gebiet, eine erste Implantation schwerer Ionen einsetzend, und Implantieren von Arsen ausschließlich in der a-Si-Schicht; DOLLAR A d) Maskieren des nMOS-Gebiets, welches durch Schritt c) gebildet wird, Bilden einer a-Si-Schicht über dem pMOS-Gebiet, eine zweite Implantation schwerer Ionen einsetzend, und Implantieren von Bor ausschließlich in den a-Si-Gebieten; DOLLAR A e) Laserglühen des nMOS- und pMOS-Gebiets für eine ausreichende Zeitperiode und bei einem Energiepegel, welcher ausreichend zum Schmelzen zumindest eines Abschnitts des a-Si, jedoch nicht ausreichend zum Schmelzen des Polysiliziums ist; und DOLLAR A f) Bewirken einer Abkühlung nach dem Laserglühen zum Umwandeln von a-Si in Polysilizium ohne Gate-Oxid-Schaden.
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