发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明的课题在于推进QFN(四方扁平无引线封装)的多管脚化。半导体芯片2在被安装在管芯底座部4上的状态下被配置在密封体3的部。在管芯底座部4的周围,以由与管芯底座部4和悬吊引线5b相同的金属构成的多条引线5包围管芯底座部4的方式进行了配置。这些引线5的一个端部一侧5a经Au焊丝6与半导体芯片2的主面的键合焊盘导电性地连接,另一个端部一侧5c以密封体3的侧面为终端。为了缩短每一条引线5与半导体芯片2的距离,一个端部一侧5a分布在管芯底座部4的附近,一个端部一侧5a的与邻接的引线5的间距比另一个端部一侧5c的与邻接的引线5的间距小。
申请公布号 CN1424757A 申请公布日期 2003.06.18
申请号 CN02151384.8 申请日期 2002.11.20
申请人 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 发明人 伊藤富士夫;铃木博通
分类号 H01L23/50;H01L21/50 主分类号 H01L23/50
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体器件,该半导体器件具有:半导体芯片;安装了上述半导体芯片的管芯底座部;配置在上述半导体芯片周围的多条引线;导电性地连接上述半导体芯片与上述引线的多条焊丝;以及密封上述半导体芯片、上述管芯底座部、上述多条引线和上述多条焊丝的密封体,其特征在于:上述多条引线形成为使得接近于上述半导体芯片的一个端部一侧的间距比位于与上述一个端部一侧相反一侧的另一个端部一侧的间距小,在上述多条引线上分别有选择地设置了从上述密封体的背面突出到外部的端子。
地址 日本东京