发明名称 |
Halbleiteranordnung |
摘要 |
Es wird eine Halbleiteranordnung (200, 300) vorgeschlagen, die ein Grabengate (107) aufweist, wobei das Grabengate in vertikaler Richtung bis in den Substratbereich (102) reichend vorgesehen ist.
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申请公布号 |
DE10157510(A1) |
申请公布日期 |
2003.06.12 |
申请号 |
DE20011057510 |
申请日期 |
2001.11.23 |
申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH |
发明人 |
PLIKAT, ROBERT;FEILER, WOLFGANG |
分类号 |
H01L29/06;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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