| 主权项 |
1.一种基材加工装置,其包含:一加工容器,其形成一加工室;一晶座,其用于支撑一待加工的基材;一旋转轴构件,其用于支撑该晶座于其上;一加热单元,其用于加热该晶座;一支撑轴,其用于支撑该加热单元;及一晶座旋转单元,其用于旋转该晶座,其中该晶座旋转单元包括:--一永久性磁铁,其与该旋转轴构件相耦合;及--一电磁铁,其与该加工容器相耦合,其中在该永久性磁铁与该电磁铁之间具有一间隔;其中该支撑轴及该加热单元系位于该旋转轴构件内。2.如申请专利范围第1项之装置,其中一个待侦测的磁性目标体系安装在该晶座的一侧上,并且用于侦测该磁性目标体之一磁性感测器系安装在该容器的一侧上,该磁性目标体上形成有复数个目标部。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该永久性磁铁及该电磁铁暴露于该加工室之至少一部份系覆盖有一包套构件。4.如申请专利范围第2项之装置,其中该永久性磁铁及该电磁铁暴露于该加工室之至少一部份系覆盖有一包套构件。5.一种利用一基材加工装置来制造一半导体元件之方法,该基材加工装置包含:一加工容器,其用于形成一加工室;一晶座,其用于支撑有待于该加工室中加工之一基材;一旋转轴构件,其用于支撑该晶座于其上;一加热单元,其用于加热该晶座;一支撑轴,其用于支撑该加热单元;及一晶座旋转单元,其用于旋转该晶座,其中该晶座旋转单元具有与该旋转轴构件耦合之一永久性磁铁,以及与该加工容器耦合之一电磁铁,在该永久性磁铁与该电磁铁之间形成一间隔,其中该支撑轴及该加热单元系位于该旋转轴构件内;其中当藉由该晶座旋转单元转动该晶座时,在该基材上执行一基材加工。6.如申请专利范围第1项之装置,其更包含一壳体及一伸缩节,其中该容器系经由该伸缩节连接至该壳体及电磁铁系固定于该壳体。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该加热单元系被提供于该伸缩节上方及该伸缩节系位于该永久性磁铁与该电磁铁上方。8.如申请专利范围第2项之装置,其中该磁性感测器的一探针与该环外周边之间的间隔系介于约0.06公厘至约0.17公厘之间。图式简单说明:第1图显示一冷壁型单晶圆化学气相沉积(CVD)装置之剖视图,其用于描述根据本发明的一项较佳实施例中之一种用于形成半导体元件制造方法中之一膜的程序;第2图描述第1图所示的CVD装置的部份剖面之正视图;第3图显示第1图所示之CVD装置的示意剖视图,其用于描述一晶圆装载/卸载程序。 |
