| 发明名称 |
Abschluß für ein Halbleiterbauteil mit MOS-Gatesteuerung mit Schutzringen |
| 摘要 |
Schutzringdiffusionen (50, 51) im Abschluß eines Halbleiterbauteils mit MOS-Gatesteuerung sind mit seitlichem Abstand voneinander angeordnet und sind unterhalb der Abschluß-Feldplatte (24) angeordnet und von dieser isoliert, die sich von dem Umfang des aktiven Bereiches des Bauteils erstreckt.
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| 申请公布号 |
DE10252609(A1) |
申请公布日期 |
2003.05.28 |
| 申请号 |
DE20021052609 |
申请日期 |
2002.11.12 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP., EL SEGUNDO |
发明人 |
WAGERS, KENNETH;MA, YANPING;CAO, JIANJUN |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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