| 发明名称 |
Floating gate field effect transistor |
| 摘要 |
<p>Ein vorzugsweise als Speicherzelle verwendeter Floatinggate-Feldeffekttransistor (400) weist oberhalb oder unterhalb eines Floatinggate-Bereichs (407) auf eine elektrisch isolierende Schichtenfolge (408) mit einer unteren Schicht (409) aufweisend eine erste relative Dielektrizitätskonstante, mit einer mittleren Schicht (410) aufweisend eine zweite relative Dielektrizitätskonstante und mit einer oberen Schicht (411) aufweisend eine dritte relative Dielektrizitätskonstante, wobei die zweite relative Dielektrizitätskonstante größer als die erste relative Dielektrizitätskonstante sowie größer als die dritte relative Dielektrizitätskonstante ist. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1315215(A2) |
申请公布日期 |
2003.05.28 |
| 申请号 |
EP20020026464 |
申请日期 |
2002.11.27 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HOFMANN, FRANZ;ROESNER, WOLFGANG;SPECHT, MICHAEL;STAEDELE, MARTIN |
| 分类号 |
H01L29/51;H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
H01L29/51 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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