发明名称 HIGH-PURITY ALUMINUM SPUTTER TARGETS
摘要 <p>Cette invention concerne une cible de pulvérisation d'aluminium de grande pureté composée d'au moins 99,999 % en poids d'aluminium et présentant une structure granuleuse. Cette structure granuleuse est recristallisée à au moins 99 % et présente une dimension de grain inférieure à 200νm. Le procédé de cette invention permettant de produire des cibles de pulvérisation d'aluminium de grande pureté consiste d'abord à refroidir une ébauche cible de grande pureté à une température inférieure à -50 °C, puis à déformer l'ébauche cible de grande pureté refroidie, lequel procédé introduit une contrainte intense dans la cible de grande pureté. Après la déformation, la recristallisation des grains à une température inférieure à 200 °C produit une ébauche cible composée d'au moins 99 % de grains recristallisés. Enfin, le finissage effectué à une température suffisamment basse pour conserver la petite taille de grains de l'ébauche cible de grande pureté permet d'obtenir une cible de pulvérisation finie.</p>
申请公布号 WO2003042421(A1) 申请公布日期 2003.05.22
申请号 US2002033680 申请日期 2002.10.23
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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