制备所需钽相的方法

摘要

本发明涉及一种制备用于喷墨加热器芯片的改进的钽导电和电阻性材料的方法。特别是，制备在半导体基片(10)上的所需相的薄膜钽层的方法，其包括在半导体基片沉积防护性层(12，16，和18)；对所述半导体基片进行预刻蚀；对所述半导体基片进行预加热；将所述基片保持在预定的温度下，同时通过在预定的输入功率下进行预定长时间的溅射来沉积薄膜钽层(20)。使用该方法能够制备出应用于半导体基片上的所需的钽相，从而根据半导体装置的用途来提供强化的耐腐蚀性和/或抗汽蚀性。

主权项

1.一种制备用于喷墨印刷头的在半导体基片上的具有所需钽相的薄膜钽层的方法，包括：在半导体基片上沉积一层或多层防护性层；使用压力基本上恒定且电压基本上恒定的惰性气体对所述半导体基片进行预定长预刻蚀时间的预刻蚀；在选定的预加热温度下对所述半导体基片进行预定量预加热时间的预加热；将所述半导体基片加热至适于在其上沉积具有所需钽相的薄膜钽层的预定的基片温度；和将所述基片保持在所述的预定的基片温度下，同时在所述基片上沉积薄膜钽层，其中溅射输入功率在预定的输入功率值下保持在预定长的溅射时间，且其中预定的温度、时间和功率包括按照因子之间数学关系选择的因子以得到在所述薄膜钽层中的所需的钽相。