| 主权项 |
1.一种差动转单端转换器,其包括:一转导放大器,用以接收一差动电压信号并且将上述差动电压信号转换成差动电流信号;一电流镜及缓冲电路,耦接至上述转导放大器,用以传递上述差动电流信号为一单端电流信号并且隔离其前级之转导放大器及后级之转阻放大器;以及一转阻放大器,耦接至上述电流镜及缓冲电路,用以接收上述单端电流信号并且将上述单端电流信号转换成单端电压信号;其中上述电流镜及缓冲电路提供上述转导放大器及上述转阻放大器间之隔离。2.如申请专利范围第1项所述之差动转单端转换器,其中上述转导放大器具有一退化电阻(degeneration resistor),上述转导放大器之转导値系由上述退化电阻所决定。3.如申请专利范围第1项所述之差动转单端转换器,其中上述电流镜及缓冲电路包括一电流镜电路,用以执行电流从全差动转换成单端之转换作用,以及一电流缓冲电路,用以提供其前级及后级间之隔离作用。4.如申请专利范围第1项所述之差动转单端转换器,其中上述转阻放大器具有一并联回授电阻,上述转阻放大器之转阻値系由上述并联回授电阻所决定。5.如申请专利范围第1项所述之差动转单端转换器,其中上述转导放大器具有一退化电阻,上述转阻放大器具有一并联回授电阻,上述差动转单端转换器之增益系由上述退化电阻与上述并联回授电阻之电阻値比率所决定。6.如申请专利范围第1项所述之差动转单端转换器,其中上述转导放大器包括:第一及第二金氧半电晶体,其闸极接收上述差动电压信号,其汲极送出上述差动电流信号;一退化电阻,其耦接于上述第一及第二金氧半电晶体之源极;以及第三及第四金氧半电晶体,其汲极分别耦接于上述第一及第二金氧半电晶体之源极,其源极耦接至第一电源端,其闸极则接收第一偏压电压。7.如申请专利范围第1项所述之差动转单端转换器,其中上述电流镜及缓冲电路包括:第五及第六金氧半电晶体,其闸极接收第二偏压电压,其源极耦接第二电源端,其汲极接收上述差动电流信号;第七及第八金氧半电晶体,其闸极接收接收一第三偏压电压,其源极分别耦接至上述第五及第六金氧半电晶体之汲极;第九金氧半电晶体,其汲极和闸极耦接至上述第七金氧半电晶体之汲极,其源极耦接至第一电源端;以及第十金氧半电晶体,其闸极耦接至上述第七金氧半电晶体之汲极,其源极耦接至上述第一电源端,其汲极耦接至上述第八金氧半电晶体之汲极并且提供上述单端电流信号。8.如申请专利范围第1项所述之差动转单端转换器,其中上述转阻放大器包括:第十一金氧半电晶体,其闸极接收上述单端电流信号,其源极耦接第二电源端;第十二金氧半电晶体,其闸极耦接至上述第十一金氧半电晶体之闸极,其源极耦接至第一电源端,其汲极耦接至上述第十一金氧半电晶体之汲极,用以提供上述单端电压信号;以及一并联回授电路,其耦接于上述第十一及第十二金氧半电晶体之闸极和汲极之间。9.一种差动转单端转换器,其包括:第一及第二电源端;第一及第二金氧半电晶体,其闸极接收一差动电压信号;一退化电阻,其耦接于上述第一及第二金氧半电晶体之源极;以及第三及第四金氧半电晶体,其汲极分别耦接于上述第一及第二金氧半电晶体之源极,其源极耦接至上述第一电源端,其闸极则接收第一偏压电压;第五及第六金氧半电晶体,其闸极接收第二偏压电压,其源极耦接上述第二电源端,其汲极分别耦接上述第一及第二金氧半电晶体之汲极;第七及第八金氧半电晶体,其闸极接收接收第三偏压电压,其源极分别耦接至上述第一及第二金氧半电晶体之汲极;第九及第十金氧半电晶体,其汲极分别耦接至上述第七及第八金氧半电晶体之汲极,其闸极耦接至上述第九金氧半电晶体之汲极,其源极耦接至上述第一电源端;第十一金氧半电晶体,其闸极耦接上述第十金氧半电晶体之汲极,其源极耦接上述第二电源端;第十二金氧半电晶体,其闸极耦接至上述第十金氧半电晶体之汲极,其源极耦接至上述第一电源端,其汲极耦接至上述第十一金氧半电晶体之汲极;以及一并联回授电路,其耦接于上述第十一及第十二金氧半电晶体之闸极和汲极之间;其中在上述第十一及第十二金氧半电晶体之相连汲极则提供一单端输出信号。10.如申请专利范围第9项所述之差动转单端转换器,其中上述第一及第二金氧半电晶体,上述第三及第四金氧半电晶体,上述第九及第十金氧半电晶体以及第十二金氧半电晶体为PMOS电晶体;上述第五及第六金氧半电晶体,上述第七及第八金氧半电晶体以及上述第十一金氧半电晶体为NMOS电晶体。11.如申请专利范围第9项所述之差动转单端转换器,其中上述差动转单端转换器之增益系由上述退化电阻与上述并联回授电阻之电阻値比率所决定。图式简单说明:第1图表示习知技术中使用运算放大器之差动转单端转换器之电路图。第2图表示习知技术中不使用运算放大器之差动转单端转换器之方块图。第3图表示本发明实施例中差动转单端转换器之方块图。第4图表示本发明实施例中差动转单端转换器之电路图。 |
