非易失性半导体存储器及制造方法

摘要

一种包括通过在阵列的行方向上的字线和在该阵列的列方向上的位线互连的存储单元的矩形阵列的无触点、非易失性金属氧化物半导体存储器件。每一存储单元包括在一半导体衬底享一公共源区(位线)的在结构上不对称的一对相同行的浮栅、MOS场效应晶体管。两个晶体管的浮栅的结构的不对称可允许同时地执行该单元的编程/读取和监控。该浮栅结构还是造成浮栅和浮栅上的控制栅(字线)间较大电容耦合的原因。因该浮栅用作该衬底内插入编程/读取和监控漏区的掩模，故器件的制造引入了自校准处理步骤。

主权项

1.一种非易失性半导体存储单元，包括：第一导电型半导体衬底；在该衬底内的第一方向上的第二导电型公共源区；与该公共源区的任一侧距离固定的在该衬底内的第一方向上的第二导电型第一漏区和第二漏区；在该衬底上的绝缘膜；其特征在于，所述存储单元还包括：在该公共源区上和到达最接近该第二漏区的公共源区的一侧的该绝缘膜上的绝缘岛；在到最接近第一漏区的该公共源区的一侧的该绝缘膜上的导电的第一浮栅；在该第一浮栅上和在该绝缘岛上的导电的第二浮栅；在第一和第二浮栅的暴露的表面上的电介质膜；和第二方向上在第二浮栅上的电介质膜上的导电的控制栅。