| 主权项 |
1.一种基材之平坦化方法,其特征为:于使具有凹凸表面基材之凹凸面平坦化时,系先于平滑基材表面形成含有球状矽石微粒子与具有暖熔性之矽石系覆膜形成成分之矽石系覆膜;然后,于平滑基材表面上使已形成该矽石系覆膜之面,与具有凹凸表面之基材的凹凸面紧贴;并转印该矽石系之覆膜于具有凹凸表面之基材的凹凸面;俾使该凹凸面平坦化。2.如申请专利范围第1项之基材之平坦化方法,其中,该矽石系覆膜系于平滑基材表面上预先形成上述球状矽石微粒子层;然后在该球状矽石微粒子层上涂布含有该矽石系覆膜形成成分之覆膜形成用涂布液而形成者。3.如申请专利范围第1项之基材之平坦化方法,其中,该矽石系覆膜系于上述平滑基材表面涂布含有上述球状矽石微粒子与上述矽石系覆膜形成成分之覆膜形成用涂布液而形成者。4.如申请专利范围第1项至第3项任一项之基材之平坦化方法,系在转印于平滑基材表面所形成之上述矽石系覆膜于具有凹凸表面之基材的凹凸面上之当时或转印后,加热该矽石系覆膜,熔融至少一部分覆膜使覆膜表面平坦化;接着,再升高温度使该矽石系覆膜硬化,而将凹凸面予以平坦化。5.如申请专利范围第1至3项之基材之平坦化方法,其中,该矽石系覆膜形成成分系具有如下述一般式[1](式中,R1,R2及R3表示可互为相同或不相同之氢原子,碳原子数1至8之烷基,芳基或烷氧基而n为1以上之整数)所示重复单元之聚矽氮烷者。6.如申请专利范围第4项之基材之平坦化方法,其中,该矽石系覆膜形成成分系具有如下述一般式[1](式中,R1,R2及R3表示可互为相同或不相同之氢原子,碳原子数1至8之烷基,芳基或烷氧基而n为1以上之整数)所示重复单元之聚矽氮烷者。7.一种经涂膜之基材,系以申请专利范围第1项至第3项之方法使表面平坦化。8.一种经涂膜之基材,系以申请专利范围第4项之方法使表面平坦化。9.一种经涂膜之基材,系以申请专利范围第5项之方法使表面平坦化。10.一种半导体装置之制造方法,其特征为:先于平滑基材表面形成含有球状矽石微粒子与具有暖熔性之矽石系覆膜形成成分之矽石系覆膜;然后藉转印此矽石系覆膜于具有凹凸表面之半导体基片之凹凸表面,于半导体基片表面形成含有球状矽石微粒子之矽石系覆膜;而矽石系覆膜系由含具有上述一般式[1]所示重复单元之聚矽氮烷之矽石系覆膜形成用涂布液所形成者。图式简单说明:第1图系依本发明之一个较佳形态下的基材平坦化方法按顺序表示之截面图,第2图系依本发明之一个较佳形态下的半导体装置制造方法按顺序表示之截面图。 |
