| 摘要 |
<p>Za° zen k povl k n povrchu (18) substr tu, nap° klad plastov f lie (10), tenkou povlakovou vrstvou anorganick ho materi lu (24), nap° klad oxidu k°em ku o tlouÜ ce ° dov v nanometrech, odpa°ov n m anorganick ho materi lu (24), sest v z vakuov komory (30) pro substr t a z odpa°ovac ho kel mku (22) napln n ho anorganick²m materi lem (24). V oblasti vakuov komory (30) je um st no elektronov d lo (26) nebo laserov d lo (26'), jeho elektronov² paprsek (27) nebo laserov² paprsek (27') je zam °en na povrch anorganick ho materi lu (24) v odpa°ovac m kel mku (22). Elektronov² paprsek (27) nebo laserov² paprsek (27') sv r s povrchem anorganick ho materi lu (24) ·hel (.alfa.) v rozmez 10.sup.o.n. a 80 .sup.o.n.. P°i odpa°ov n anorganick ho materi lu (24) se vytv ° p°evis (25) a neexistuje geometricky patrn spojen vrstev mezi odpa°ovan²m anorganick²m materi lem (24) a povrchem (18) substr tu. Zp sob povl k n povrchu (18) substr tu prov d n² v za° zen , spo v v tom, e vyz °en² elektronov² nebo laserov² paprsek (27, 27') dopad na povrch anorganick ho materi lu (24) pod ·hlem (.alfa.) a odpa°ovac kel mek (22) a elektronov nebo laserov d lo (26, 26') se vz jemn pohybuj ./</p> |
