| 主权项 |
1.一种分离装置,以流体分离样本,包含:固定部份,用于固定内侧具有分离层之样本;喷嘴,用以喷射流体至由固定部份所固持之样本的分离层;流体供应部份,用于供应流体至该喷嘴,其中该流体供应部份抑制将供应至该喷嘴之流体压力中的变化在预定范围内于分离处理时,使得流体是以实质固定压力喷射自该喷嘴。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该流体供应部份抑制将供应至该喷嘴之流体压力中之变化在目标压力的10%内于分离处理时。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该流体供应部份包含伺服从动泵且自该伺服从动泵供应流体至该喷嘴。4.如申请专利范围第1项之装置,另包含旋转驱动部份,用以藉由旋转该固定部份使样本绕着垂直分离层之轴线旋转。5.如申请专利范围第1项之装置,另包含操作构件,用以改变流体自该喷嘴喷射至样本之位置及分离处理的进度。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该操作构件改变流体自周围部份至分离层的中央部份逐渐或分段地喷射至样本的分离层之位置,以及分离处理的进度。7.如申请专利范围第1项之装置,其中样本具有凹陷自侧表面之凹面部份在分离层外侧。8.如申请专利范围第1项之装置,其中分离层是易碎层。9.如申请专利范围第1项之装置,其中分离层是藉由阳极化而形成的层。10.如申请专利范围第1项之装置,其中分离层是藉由离子植入而形成的层。11.一种分离方法,以流体分离样本,其中内侧具有分离层之样本被分离在分离层,当喷射其压力变化被抑制在预定范围内之流体至样本的分离层时。12.如申请专利范围第11项之方法,其中预定范围是目标压力的10%。13.如申请专利范围第11项之方法,其中流体的压力是伺服控制的。14.如申请专利范围第11项之方法,其中此样本被分离,当约垂直至分离层的轴线旋转时。15.如申请专利范围第11项之方法,其中此样本被分离,当改变流体被喷射至样本之位置以及分离处理的进度时。16.如申请专利范围第11项之方法,其中此样本被分离,当改变流体是自周围部份至分离层的中央部份逐渐或分段地喷射至样本的分离层之位置,以及分离处理的进度时。17.如申请专利范围第11项之方法,其中样本具有凹陷自侧表面之凹面部份在分离层外侧。18.如申请专利范围第11项之方法,其中分离层是易碎层。19.如申请专利范围第11项之方法,其中分离层是藉由阳极化而形成的层。20.如申请专利范围第11项之方法,其中分离层是藉由离子植入而形成的层。21.一种转移方法,用以转移第一构件的表面上之转移层至第二构件,包含:制备步骤,藉由使内侧具有分离层之第一构件与分离层上之转移层与第二构件紧密接触以制备复合构件;及分离步骤,分离复合构件在转移层,当喷射藉由抑制压力变化在预定范围内而保持在实质地接触压力之流体至复合构件的分离层时,因此转移第一构件的转移层至第二构件。22.一种基板制造方法,包含:制备步骤,藉由接合内侧具有分离层之第一基板与分离层上的转移层至第二基板而制备接合基板堆叠;及分离步骤,分离接合基板堆叠在分离层,当喷射藉由抑制压力变化在预定范围内而保持在实质地接触压力之流体至接合基板堆叠的分离层时。23.如申请专利范围第22项之方法,其中预定范围是目标压力的10%。24.如申请专利范围第22项之方法,其中于分离步骤中,流体的压力是伺服控制的。25.如申请专利范围第22项之方法,其中于分离步骤中,接合基板堆叠被分离,当约垂直至分离层之轴线旋转时。26.如申请专利范围第22项之方法,其中于分离步骤中,接合基板堆叠被分离,当改变流体被喷射至接合基板堆叠的位置以及分离处理的进度时。27.如申请专利范围第22项之方法,其中于分离步骤中,接合基板堆叠被分离,当改变流体是自分离层的周围部份至中央部份逐渐或分段地喷射至接合基板堆叠的分离层之位置,以及分离处理的进度。28.如申请专利范围第22项之方法,其中分离层是易碎层。29.如申请专利范围第22项之方法,其中分离层是藉由阳极化而形成的层。30.如申请专利范围第22项之方法,其中分离层是藉由离子植入而形成的层。31.如申请专利范围第22项之方法,其中转移层包括单晶矽层。32.如申请专利范围第31项之方法,其中转移层具有单晶矽层以及单晶矽层上的绝缘层。33.一种半导体装置制造方法,包含:使用申请专利范围第22项之基板制造方法而制备SOI基板的步骤;及元件隔绝SOI基板的SOI层及形成电晶体在元件隔绝的SOI层上的步骤。34.如申请专利范围第33项之方法,其中电晶体是部份耗尽型FET。35.如申请专利范围第33项之方法,其中电晶体是完全耗尽型FET。图式简单说明:图1A至1E是用于解说以依据本发明的较佳实施例之基板制造方法而形成多孔层的步骤之简图;图2是显示依据本发明的较佳实施例之分离装置的配置之简图;图3是显示伺服驱动泵的概略配置之简图;图4是显示一种状态(初期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠是藉由使用水作为流体之所谓的喷水装置,当旋转接合基板堆叠时;图5是显示一种状态(中期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠是藉由使用水作为流体之所谓的喷水装置,当旋转接合基板堆叠时;图6是显示一种状态(后期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠是藉由使用水作为流体之所谓的喷水装置,当旋转接合基板堆叠时;图7是显示一种状态(初期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠被分离,当依据本发明的较佳实施例之抑制流体压力中之变化时;图8是显示一种状态(中期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠被分离,当依据本发明的较佳实施例之抑制流体压力中之变化时;图9是显示一种状态(后期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠被分离,当依据本发明的较佳实施例之抑制流体压力中之变化时;图10是显示一种状态(初期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠被分离,当依据本发明的另一较佳实施例之控制喷嘴位置且抑制流体压力中的变化于预定范围内时;图11是显示一种状态(中期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠被分离,当依据本发明的另一较佳实施例之控制喷嘴位置且抑制流体压力中的变化于预定范围内时;图12是显示一种状态(后期阶段)之平面图与曲线,其中接合基板堆叠被分离,当依据本发明的另一较佳实施例之控制喷嘴位置且抑制流体压力中的变化于预定范围内时;图13A至13D是显示使用依据本发明的较佳实施例之基板制造方法而制造半导体装置的方法之截面图。 |
