使用复晶矽间隔物而形成升高源极/汲极之方法

摘要

本发明系描述一种形成具有一升高源极／汲极的次0.25微米之MOSFET的方法，一闸极电极系形成覆盖于一半导体基板上的闸极介电质上，离子系植入到半导体基板，以形成轻掺杂区，其系使用该闸极电极为一罩幕。之后，介电质间隔物系形成于闸极电极的侧壁上，一复晶矽层系沈积覆盖于半导体基板、闸极电极与介电质间隔物上，其中该复晶矽层系被浓掺杂，该复晶矽层系被回蚀，以留下复晶矽间隔物于介电质间隔物上，掺杂从复晶矽间隔物扩散到半导体基板，以在该复晶矽间隔物下形成源极及汲极区，移除闸极电极末端的复晶矽间隔物，以将复晶矽间隔物分开成为一源极复晶矽间隔物及一汲极复晶矽间隔物，如此，以在积体电路元件制造中完成形成一具有升高源极／汲 极结 构 之MOSFET。

主权项

1.一种在制造积体电路元件中形成具有一升高源极/汲极结构的MOSFET之方法,系包括有:形成一闸极电极覆盖于一基板上的闸极介电质上;植入离子到该基板,以形成轻掺杂区,其系使用该闸极电极为一罩幕;之后,形成介电质间隔物于该闸极电极的侧壁上;沈积一复晶矽层覆盖于该基板、该闸极电极、及该介电质间隔物上,其中该复晶矽层系被浓掺杂;回蚀该复晶矽层,以留下复晶矽间隔子于该介电质间隔物上;掺杂从复晶矽间隔物扩散到该基板,以在该复晶矽间隔物下形成源极与汲极扩散区;及移除于该闸极电极末端上的该复晶矽间隔物,以将该复晶矽间隔物分开成一源极复晶矽间隔物及一汲极复晶矽间隔物,因此,以在积体电路元件的制造中完成形成具有一升高源极/汲极结构的MOSFET。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该形成该介电质间隔物的该步骤,包括有:沈积一氧化层覆盖于该半导体基板及该闸极电极上;及回蚀该氧化层,以只留下该闸极电极侧壁上的该介电质间隔物。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该介电质间隔物的该步骤,包括有:氧化该半导体基板及该闸极电极,以形成一氧化层覆盖于该半导体基板及该闸极电极上;及蚀刻掉覆盖在半导体基板及该闸极电极表面上的该氧化层,以只留下该闸极电极侧壁上的该介电质间隔物。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二复晶矽层系藉由LPCVD而沈积达到一个在500到400埃之间的厚度。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二复晶矽层系为原位掺杂。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二复晶矽层藉由离子植入而掺杂。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二复晶矽层系具有一个在1020到1022atoms/cm3之间的掺杂浓度。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中将掺杂从该复晶矽间隔物扩散到该半导体基板以形成源极及汲极区的该步骤,系藉由一快速加热制程而进行之。9.一种在制造积体电路元件中形成具有一升高源极/汲极结构的MOSFET之方法,系包括有:形成一闸极电极覆盖于一基板上的闸极介电质上;离子植入到基板,以形成轻掺杂区,其系使用该闸极电极为一罩幕;之后,形成介电质间隔物于该闸极电极的侧壁上;沈积一复晶矽层于该基板、该闸极电极、及该介电质间隔物上,其中该复晶矽层系被浓掺杂;回蚀刻该复晶矽层,以留下复晶矽间隔物于该介电质间隔物上,其中该复晶矽间隔物与升高源极/汲极区隔开;掺杂从该升高源极/汲极区扩散到该基板,以在该升高源极/汲极区下形成源极与汲极扩散区;及移除该闸极电极末端上的该复晶矽间隔物,以将复晶矽间隔物分开成一升高源极区及一升高汲极区,如此,以在积体电路元件的制造中完成形成具有一升高源极/汲极结构的该MOSFET。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中形成该介电质间隔物的步骤,系包括有:沈积一氧化层覆盖于该半导体基板及该闸极电极上;及回蚀该氧化层,以只留下该闸极电极侧壁上的该介电质间隔物。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中形成该介电质间隔物的该步骤,系包括有:氧化该半导体基板及该闸极电极,以形成一氧化层覆盖于该半导体基板及该闸极电极上;及蚀刻掉覆盖在该半导体基板及该闸极电极表面的该氧化层,以只留下该介电质间隔物于该闸极电极的侧壁上。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二复晶矽层系为原位掺杂。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二复晶矽层系藉由离子植入而掺杂。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二复晶矽层系具有一个在1020到1022个atoms/cm3之间的掺杂浓度。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中将掺杂从该复晶矽间隔物扩散到该半导体基板的该步骤,系藉由一快速加热制程而进行之。16.一种在制造积体电路元件中形成具有一升高源极/汲极结构的MOSFET之方法,系包括有形成一闸极电极覆盖于一基板上的闸极介电质上;离子植入到基板,以形成轻掺杂区,其系使用该闸极电极为一罩幕;之后,沈积一介电层覆盖于该半导体基板及该闸极电极上;回蚀该介电层,以只留下该介电质间隔物于该闸极电极的侧壁上;沈积一复晶矽层覆盖于该基板、该闸极电极、及该介电质间隔物上,其中该复晶矽层系被浓掺杂;回蚀该复晶矽层,以留下复晶矽间隔物于该介电质间隔物上,其中该复晶矽间隔物与升高源极/汲极区隔开;掺杂从该升高源极/汲极区扩散到该基板,以在该升高源极/汲极区下形成源极与汲极扩散区;及移除该闸极电极末端上的该复晶矽间隔物,以将复晶矽间隔物分开成一升高源极区及一升高汲极区,如此,以在积体电路元件的制造中完成形成具有一升高源极/汲极结构的该MOSFET。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二复晶矽层系为原位掺杂。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二复晶矽层藉由离子植入而掺杂。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二复晶矽层系具有一个在1020到1022atoms/cm3之间的掺杂浓度。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中将掺杂从该复晶矽间隔物扩散到该半导体基板以形成源极及汲极区的该步骤,系藉由一快速加热制程而进行之。图式简单说明:第1图至第7A图系说明本发明一较佳实施例之横剖面图。第7B图系说明本发明一较佳实施例的光学处理之横剖面图。第8图与第9图系说明本发明一较佳实施例之俯视图。第10图系为根据本发明制造之完成积体电路元件。