| 主权项 |
1.一种半导体晶圆的加工方法,系以预定之研磨压力使半导体晶圆之表面滑接于砂布而进行研磨,并且对该研磨后的表面进行电浆蚀刻者,其特征在于:使前述半导体晶圆之周边部分的研磨压力比中央部分还小来进行研磨,藉此使周边部分成为隆起状,并且仅对于该周边部分进行电浆蚀刻。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆的加工方法,其中,前述半导体晶圆上要进行电浆蚀刻的周边部分系距离该晶圆之外周端部5mm以内的领域。3.如申请专利范围第1项之半导体晶圆的加工方法,其中,从直径在1mm至2mm之范围内的喷嘴照射电浆化后的原料气体,以进行前述电浆蚀刻。4.如申请专利范围第2项之半导体晶圆的加工方法,其中,从直径在1mm至2mm之范围内的喷嘴照射电浆化后的原料气体,以进行前述电浆蚀刻。5.如申请专利范围第1项至第4项任一项之半导体晶圆的加工方法,其中,前述电浆蚀刻所使用的原料气体系氯系、氢系或氟系之气体。6.一种电浆蚀刻装置,系使电浆化后的原料气体通过喷嘴而照射至半导体晶圆的表面以进行蚀刻者,其特征在于:前述喷嘴之直径在1mm至2mm的范围内。图式简单说明:第1图系电浆蚀刻之一例的概略图。第2图系使用本发明之装置,仅对于晶圆之周边部分进行电浆蚀刻之一例的概略图。第3图系利用直径比晶圆还小的保持板来保持晶圆,以进行研磨的概略图。第4图系在实施例1之电浆蚀刻前后所测量的晶圆周边部介之厚度的变位量曲线图。第5图系在实施例2及比较例所测量的晶圆周边部分之厚度的变位量曲线图。第6图系习知半导体晶圆之一般制造步骤的流程图。第7图系习知研磨步骤中,以砂布研磨晶圆后的周边部分之厚度的变位量曲线图。 |
