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Ein Spannungsanlegeabschnitt (32) ist mit einer Siliciumschicht (1) verbunden. Eine Strahlungsemission gegenüber einer Halbleitervorrichtung lässt eine große Anzahl von Löchern in einer BOX-Schicht (2) in der Nähe der Grenzfläche zu einer Siliziumschicht (3) akkumulieren. Die Menge der Akkumulation der Löcher steigt mit einem Zeitablauf an. Ein Spannungsanlegeabschnitt (32) legt eine negative Spannung an das Siliciumsubstrat (1) an, die mit dem Zeitablauf abnimmt, um ein aus den akkumulierten Löchern resultierendes, positives elektrisches Feld auszulöschen. Der Spannungsanlegeabschnitt (32) schließt einen Zeitzähler (30) zum Detektieren des Zeitablaufs und einen Spannungserzeugungsabschnitt (31), der mit dem Siliziumsubstrat (1) verbunden ist, zum Erzeugen einer negativen Spannung (V1), die proportional zum Zeitablauf abnimmt, auf der Basis des Ergebnisses der Detektion (Zeit T), die durch den Zeitzähler (30) durchgeführt wird, ein. Folglich wird eine Halbleitervorrichtung erhalten, die zum Unterdrücken des Auftretens der Gesamtdosiseffekte in der Lage ist.
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