| 发明名称 | 具有双隧道结存储单元的存储器件 | ||
| 摘要 | 一种存储器件(10)包括具有串联的两个隧道结(134、234、136、236)的存储单元(130、230)。为了给被选存储单元(130、230)编程，被选存储单元(130、230)中的第一隧道结(134、234)被击穿。击穿第一隧道结(134、234)使第一隧道结(134、234)短路，并使被选存储单元(130)的电阻从第一状态改变到第二状态。电阻的改变可以通过读操作检测。第二隧道结(136、236)具有不同于第一隧道结(134、234)的抗熔丝特性，并且不被写操作短路。因此在第一隧道结(134、234)被击穿之后，第二隧道结(136、236)可提供对存储单元的隔离功能。 | ||
| 申请公布号 | CN1409397A | 申请公布日期 | 2003.04.09 |
| 申请号 | CN02142968.5 | 申请日期 | 2002.09.13 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | L·T·特兰;H·李 |
| 分类号 | H01L27/10 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1、一种存储单元(130、230)，包括：第一隧道结(134、234)；和与第一隧道结(134、234)串联的第二隧道结(136、236)，其中第一隧道结(134、234)可从第一电阻状态改变到第二电阻状态，并且第一隧道结(134、234)具有不同于第二隧道结(136、236)的抗熔丝特性。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||