| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 这里公开的是一种至少部分地提供了一个具有相反于对立传导类型半导体衬底1的某传导类型层7和9的元件的半导体装置。在某传导类型层被形成的同时，某传导类型层7和9被形成在信号输入/输出垫片14被形成的区域中。另外，在形成于半导体衬底1的表面上的夹层绝缘膜10中的反向传导层7和9的圆周位置上生成接触孔11。信号输入/输出垫片14被形成在由夹层绝缘膜10的表面上的接触孔11所包围的区域中。在形成信号输入/输出垫片14的同时，在信号输入/输出垫片14的圆周位置上形成一个被电气连接到接触孔11的噪声屏蔽电极15。 | ||
| 申请公布号 | CN1104051C | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
| 申请号 | CN98101224.8 | 申请日期 | 1998.03.30 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 平林浩 |
| 分类号 | H01L23/58;H01L27/04;H01L21/82;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/58 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄敏 |
| 主权项 | 1.一种提供了连接到内部电路的信号输入/输出垫片的半导体装置，其特征在于其中一导电类型层被形成在一个上述信号输入/输出垫片正下方的相反导电类型半导体衬底上，且一个常值电压作为一个相对于上述半导体衬底的反向偏压被加载到上述一导电类型层上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||